Введение - легирующая примесь
Cтраница 2
Режущие инструменты - резцы, фрезы, сверла - из углеродистой стали при незначиельном нагреве ( около 200 С) теряют твердость, поэтому применять их при обработке металла с большой скоростью резания невозможно. При введении определенных легирующих примесей сталь приобретает красностойкость, износостойкость, получает глубокую прокаливаемость, равномерную закалку и значительно меньше напряжений, чем углеродистая сталь; она имеет высокую прочность, твердость и хорошо противостоит ударным нагрузкам. [16]
Режущий инструмент - резцы, фрезы, сверла из углеродистой стали при незначительном нагреве ( около 200) теряют свою твердость, поэтому применение их при обработке металла с большой скоростью резания невозможно. При введении определенных легирующих примесей сталь приобретает красностойкость, износоустойчивость, получает глубокую прокаливаемость, равномерную закалку и значительно меньше напряжений, чем углеродистая сталь, она имеет высокую прочность, твердость и хорошо противостоит ударным нагрузкам. [17]
Режущие инструменты - резцы, фрезы, сверла - из углеродистой стали при незначиельном нагреве ( около 200 С) теряют твердость, поэтому применять их при обработке металла с большой скоростью резания невозможно. При введении определенных легирующих примесей сталь приобретает красностойкость, износостойкость, получает глубокую прокаливаемость, равномерную закалку и значительно меньше напряжений, чем углеродистая сталь; она имеет высокую прочность, твердость и хорошо противостоит ударным нагрузкам. [18]
Легирование эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных с использованием как химических транспортных реакций, так и реакций обменного разложения МОС и гидридов V группы, проводят путем введения в реактор газообразных соединений легирующих элементов: гидридов кремния, серы и германия, паров соединений летучих примесей, например диэтилцинка Zn ( C2H5) 2, диэтилтеллу-ра Те ( С2Н5) 2, хромилхлорида СгО2С12 и др., в токе водорода или инертного газа. В хлоридном или хлоридно-гидрид-ном методах возможно введение легирующей примеси в расплав галлия в источнике ( поз. Образующиеся одновременно с хлоридом галлия ( I) летучие хлориды легирующих элементов поступают в токе ПГС в зону осаждения, где адсорбируются на поверхности растущего эпитаксиального слоя и после прохождения поверхностной реакции захватываются им. [20]
Преимущества последнего метода перед остальными заключаются в том, что исходные материалы, в большинстве своем легкокипящие жидкости, могут быть легко очищены, а условия проведения процесса удобно контролируются. Кроме того, при осаждении P-SiC весьма просто осуществляется его легирование введением легирующей примеси в исходный материал. [21]
Преимущества последнего метода перед остальными заключаются в том, что исходные материалы, в большинстве своем легкокипящие жидкости, могут быть легко очищены, а условия проведения процесса удобно контролируются. Кроме того, при осаждении p - SiC весьма просто осуществляется его легирование введением легирующей примеси в исходный материал. Недостаток метода состоит в том, что получение крупных кристаллов невозможно в связи с переохлаждением поверхности растущего кристалла при ее удалении по мере роста от поверхности нагревателя. [22]
Проведенное выше рассмотрение фотоэлектрических свойств структур СЭ базировалось на предположении о том, что реализуется условие низкого уровня возбуждения. Это условие следует понимать как отражение того факта, что в каждом элементарном объеме полупроводникового материала СЭ количество отогенерированных носителей тока существенно меньше количества основных носителей, образованных благодаря введению легирующих примесей. Таким образом, условие низкого уровня возбуждения может выполняться для СЭ, преобразующих сильноконцентрированное солнечное излучение, но изготовленных на основе полупроводниковых материалов с высоким уровнем легирования. И, наоборот, в слаболегированных структурах СЭ эффекты высокого уровня возбуждения могут возникать при фотоэлектрическом преобразовании относительно слабых световых потоков. [23]
Показатель преломления п пленок a - Si: Н приблизительно равен показателю преломления кристаллического кремния. При повышении температуры подложки от 195 до 420 С ( концентрация водорода при этом снижается с 40 до 10 %) значение п увеличивается примерно на 5 %, что согласуется с наблюдаемым уменьшением ширины запрещенной зоны [56] - Бродски и Лиари [11] исследовали влияние температуры на показатель преломления осаждаемых в тлеющем разряде пленок собственного и легированного a - Si: Н и установили, что при введении легирующей примеси характер температурной зависимости п изменяется незначительно, причем для аморфного и кристаллического кремния эти зависимости совпадают. [24]
Метчики, развертки и другие длинные и тонкие инструменты из углеродистой стали при закалке получаются хрупкими, они ненадежны в работе и часто ломаются. Режущий инструмент - резцы, фрезы, сверла из углеродистой стали при незначительном нагреве ( около 200 С) теряют свою твердость, поэтому применение их при обработке металла с большой скоростью резания невозможно. При введении определенных легирующих примесей сталь приобретает красностойкость, износоустойчивость, получает глубокую про-каливаемость, равномерную закалку и значительно меньше напряжений, чем углеродистая сталь, она имеет высокую прочность, твердость и хорошо противостоит ударным нагрузкам. [25]
Интенсивность излучательных примесных переходов зависит не только от концентрации примесей, с помощью которой идут излучательные переходы, но и от заполнения этих и соседних с ними уровней примесных состояний в запрещенной зоне. Заполнение же примесных состояний определяется положением уровня Ферми в запрещенной зоне полупроводника. Изменяя положение уровня Ферми с помощью введения дополнительных легирующих примесей или изменения температуры полупроводника, можно влиять на интенсивность примесных излучательных переходов. Процессы термостимуляции и температурного гашения люминесценции, наблюдаемые в ряде полупроводников, объясняются именно изменением зарядового состояния уровней примеси, ответственных за люминесценцию при изменении температуры за счет изменения положения уровня Ферми. Исследование явления термостимулированной люминесценции и температурного гашения люминесценции, а также сходных с этими явлениями процессов оптического гашения люминесценции, когда примесные состояния перезаряжаются соответствующей подсветкой, дает обширную информацию об энергетическом положении и сечениях захвата электронов и дырок для различных примесных состояний в полупроводниках. [26]
С помощью пиролитических реакций подобного типа осаждают также пленки сульфидов и селенидов ряда других металлов, таких, как Zn, Cu, In, Ag, Ga, Sb, Pb и Sn. Пленки тел-луридов получить этим методом не удается, поскольку соли теллурорганических соединений крайне неустойчивы и их трудно синтезировать. Однако устойчивость этих соединений можно повысить путем введения определенных легирующих примесей, присутствие которых в пленках будет необходимо для создания солнечных элементов. [27]
Аустенитные стали имеют пониженную склонность к росту зерна, хорошо свариваются ручной, автоматической и полуавтоматической сваркой, обладают высокими характеристиками пластичности и вязкости металла. Изменение содержания хрома и никеля, а также введение дополнительных легирующих примесей и применение термической обработки позволяют в широких пределах изменить механические свойства свариваемого и наплавленного металла, а также их кислотостойкость, окалиностойкость и жаропрочность. [28]
Ом-см, величина которого зависит от условий роста. Ом - см. Кейнтла [46] изучал влияние отжига, осуществляемого в различных атмосферах, на свойства пленок и установил, что наличие О2 приводит к увеличению их темнового удельного сопротивления. Максимум спектральной чувствительности пленок соответствует длине волны 0 7 мкм ( см. рис. 3.9), что указывает на собственный характер фотопроводимости. Показано [46], что введение легирующих примесей Li и Си приводит к увеличению отношения фотопроводимости к темновой проводимости пленок. При наличии примесей Си и Ag спектральный диапазон чувствительности расширяется в длинноволновую область. [29]
Классическое учение о гетерогенном равновесии, которое органически входит в состав физико-химического анализа, рассматривает в основном конденсированные системы без учета свойств газо - и паровой фазы. Поэтому в физико-химическом анализе доминирующую роль играют Т - je - диаграммы, называемые диаграммами состояния. Способы изображения макро - и микроучастков диаграмм состояния. Свойства полупроводниковых фаз чрезвычайно чувствительны к исчезающе малым изменениям состава, проявляющимся во введении легирующей примеси или в нарушениистехиометрического соотношения компонентов химического соединения. Эта чувствительность достигает 10 - 6 - 10 - 8 ат. Отсюда следует, что вблизи ординат компонентов и химического соединения масштаб по оси концентраций должен быть изменен в 105 - 10е раз для того, чтобы можно было судить о характере фазовых превращений в очень узкой области концентраций. Это позволяет определять области твердых растворов и судить о протяженности области однородности полупроводниковой фазы. Таким образом, приходится иметь дело как с обычной макродиаграммой, которая дает общее представление о фазовых равновесиях в системе, так и с микроучастками этой же диаграммы, которые углубляют представления о термодинамических характеристиках фаз и компонентов системы. [30]
Страницы: 1 2 3