Введение - донорная примесь
Cтраница 1
Введение донорной примеси - окисла трехвалентного металла ( А1203 или Ga203) в ZnO увеличивает концентрацию свободных электронов и скорость Н2 - В2 - обмена; введение акцепторной примеси - окисла одновалентного металла ( 1Л20) - уменьшает концентрацию свободных электронов и скорость обмена. [1]
Из (9.3) следует, что увеличение концентрации электронов п, вызванное введением донорных примесей, сопровождается уменьшением концентрации дырок рп. [2]
Для этого требуется, чтобы пластинка кремния или германия обладала электропроводностью типа р, а - электропроводность наружных слоев создают путем введения донорных примесей. [3]
 |
Влияние легирования донорной примесью кристалла состава М А на концентрации дефектов ( пунктиром обозначено изменение п, р и [ D ], когда А0. [4] |
Если же концентрация акцепторов в кристалле столь высока, что условие электронейтральности должно записываться как [ м ] р, то введение донорной примеси приводит к взаимному увеличению концентраций ионизированных донорных и акцепторных атомов. [5]
Рассмотрим прямые переходы в полупроводнике tt - типа в предположении о том, что энергетические зоны описываются параболическим законом дисперсии и их вид не меняется при введении донорных примесей. [6]
Если в примесный полупроводник, обладающий электронной проводимостью, ввести акцепторные примеси, то они будут захватывать электроны, уменьшая тем самым концентрацию примесных носителей заряда. То же самое происходит и при введении донорных примесей в примесный полупроводник с дырочной проводимостью. [7]
Подвижность носителей тока зависит от температуры и концентрации примесей, причем она убывает с ростом температуры и количества примеси. Однако число свободных электронов и дырок зависит от температуры и концентрации примесей гораздо сильнее, чем их подвижность, а поэтому величина электропроводности сильно возрастает с повышением температуры и введением донорной примеси. [8]
Заметное снижение яркости люминесценции и уменьшение электропроводимости под действием электроотрицательных адсор-батов происходит и у люминофоров на основе сульфидов цинка и кадмия, например у ZnS-Cl - фосф ора и у CdS. Этот эффект играет особенно существенную роль в случае мелкозернистых люминофоров, размер зерен которых, не превышающий нескольких микрон, сопоставим с длиной экранирования. Введение донорных примесей ( например, CdCb) в CdS позволяет, по крайней мере частично, скомпенсировать акцепторное действие созданных адсорбированными молекулами кислорода поверхностных уровней и увеличить благодаря этому темновую проводимость и фотопроводимость ( сравн. С другой стороны, при получении фотопроводников адсорбция кислорода может играть и положительную роль, если повышенная по тем или иным причинам проводимость поверхностного слоя препятствует обнаружению объемной фотопроводимости кристаллов. [9]
Изотропность спектра свидетельствует о проявлении эффекта Яна-Теллера, подобно тому, как это имеет место для спектра ЭПР никеля и германия. Однако в алмазе в отличие от германия, где уже при 7 20 4 К наблюдается анизотропия - тензора, спектр вплоть до 7 4 2 К остается почти изотропным. Введение донорных примесей в алмазе ( фосфор, азот) при прочих равных условиях приводит к уменьшению интенсивности линий ЭПР никеля. Это связано с тем, что последний образует два акцепторных уровня, так что интенсивность сигнала ЭПР будет прямо пропорциональна заполнению нижнего уровня и обратно пропорциональна заполнению верхнего. [10]
Изотропность спектра свидетельствует о проявлении эффекта Яна-Теллера, подобно тому, как это имеет место для спектра ЭПР никеля и германия. Однако в алмазе в отличие от германия, где уже при 7 20 4 К наблюдается анизотропия g - тензора, спектр вплоть до 7 4 2 К остается почти изотропным. Введение донорных примесей в алмазе ( фосфор, азот) при прочих равных условиях приводит к уменьшению интенсивности линий ЭПР никеля. Это связано с тем, что последний образует два акцепторных уровня, так что интенсивность сигнала ЭПР будет прямо пропорциональна заполнению нижнего уровня и обратно пропорциональна заполнению верхнего. [11]
 |
Основные физические свойства халькогенидов свинца. [12] |
При отклонении от стехиометрического состава образцы халько-генидов свинца обладают электронной электропроводностью за счет избытка свинца или дырочной электропроводностью за счет избытка элемента VI группы таблицы Менделеева. Замена атомов свинца одновалентными металлами Na, Ag или Си означает введение акцепторной примеси. Замена трехвалентным металлом, например Bi, равноценна введению донорной примеси. Замещение атома элемента VI группы галогеном VII группы также эквивалентно введению донора. [13]
Добавки ( примеси) могут быть подразделены на электронодонор-ные и электроноакцепторные. Примером донорной примеси могут служить атомы мышьяка, введенные в германий. Они снабжают зону проводимости подвижными электронами, при наложении внешнего электрического поля выполняют функцию носителей тока, электрическая проводимость их электронная ( отрицательная), полупроводник относится к n - типу. Ширина запрещенной зоны благодаря введению донорной примеси резко уменьшается. [14]
 |
Ключевые схемы. [15] |
Страницы: 1 2