Cтраница 2
Транзисторы с индуцированными каналами р-типа изготовляют в островках монокристаллического кремния n - типа, полученных методом эпитаксиального наращивания. Для формирования этих островков в исходной пластине кремния р-типа предварительно вытравливают углубления. Области истока и стока транзистора с каналом р-типа создают диффузией акцепторной примеси. Области истока и стока транзистора с каналом n - типа изготовляют в основной части пластины введением донорной примеси. [16]
Близость локальных уровней к зоне проводимости приводит к тому, что уже при небольшом нагреве атомы примеси ионизируются, отдают дополнительный электрон, при этом число свободных электронов увеличивается. Образование свободных электронов при ионизации донорной примеси сопровождается появлением в узлах кристаллической решетки неподвижных положительных зарядов - ионов примеси. Обмен электронами между атомами примеси невозможен, так как атомы примеси удалены друг от друга и при комнатной температуре все ионизированы. Таким образом, ионизация атомов примеси не приводит к увеличению концентрации дырок, которые образуются только при разрыве связей между атомами полупроводника. Поэтому при введении донорной примеси концентрация свободных электронов оказывается значительно больше концентрации дырок и электропроводность определяется в основном электронами. В этом случае электроны называют основными носителями ( их концентрация обозначается пп), дырки - неосновными ( концентрация рп), а такой полупроводник называется полупроводником п-типа. Несмотря на преобладание в примесном полупроводнике подвижных носителей одного знака, полупроводник в целом электрически нейтрален, так как избыточный заряд подвижных носителей компенсируется зарядом неподвижных ионов примесей. [17]