Плазменный процесс

Cтраница 3

Эта математическая модель описывает те из плазменных процессов, которые характеризуются движением плазмы как целого и наблюдаются в виде ее крупномасштабных возмущений. [31]

Параметры плазменного процесса получения оксида магния из раствора нитрата магния с концентрацией 150 г ( MgO / л. [32]

В таблице 4.24 приведены технологические параметры плазменного процесса. Требуемый химический и фазовый состав оксида магния достигался сравнительно легко, однако лимонное число и насыпная плотность сильно зависели от параметров эксперимента. [33]

Помимо простого интерферометрического метода для диагностики скоротечных плазменных процессов получили широкое распространение резонаторный и волноводный методы. [34]

В настоящее время исследованы более 70 технологических плазменных процессов, часть которых внедрена в промышленность. [35]

В связи с необходимостью тщательной отработки плазменного процесса получения ацетилена из метана до его промышленного использования проектным заданием предусматривается организация производства карбида кальция как источника получения ацетилена. [36]

Относительные затраты на производство 1 кг ацетилена в зависимости от мощности установки778. [37]

В литературе имеются сообщения о разработке плазменных процессов синтеза ацетилена. [38]

Схема разделения газов в процессе Hoechst. [39]

В продуктах пиролиза, полученных в плазменном процессе Knapsack ( WLP), не содержится кислородных соединений, так как для закалки не применяют воду. Это несколько упрощает метод выделения ацетилена. [40]

Следующий шаг в нашей попытке провести анализ плазменных процессов по аналогии с кинетической теорией газов должен состоять в установлении понятия об эффективном сечении кулоновских столкновений. Следует различать величины aei, aee и а ц, которые обозначают эффективные сечения соответственно для следующих трех видов столкновений: а) электронов с ионами, б) электронов с электронами и в) ионов с ионами. [41]

Частота применения различных методов лазерной термометрии в основных операциях микротехнологии. [42]

Наиболее часто методы ЛТ применяются при исследованиях плазменных процессов, воздействий лазерных и электронных пучков на поверхность, эпитаксиального роста пленок. Неожиданным представляется то, что при проведении ионной имплантации полупроводников методы Л Т совсем не используются. Вероятно, более существенным является температурный режим при отжиге имплантированного кристалла, чем в ходе самой имплантации. [43]

Оборудование ( установки, машины) для плазменных процессов сварки, наплавки и резки состоит из плазменной аппаратуры и механизмов, обеспечивающих перемещение плазмотрона относительно обрабатываемого изделия. Плазменные установки представляют собой комплекты из плазмотрона ( плазменной горелки), источника его питания и системы управления электрическими и газовыми параметрами плазменной дуги. Установки для сварки и наплавки кроме плазменных установок обычно комплектуются механизмами подачи присадочной проволоки или ( в случае наплавки) порошковыми дозаторами и механизмами колебания плазмотрона. Основные составляющие плазменной аппаратуры ( плазмотрон, источник питания, система управления) при всем их многообразии имеют ряд общих схемных и конструктивных решений. [44]

И магнитосфере Земли ( в этих областях происходят плазменные процессы, сопровождающиеся выделением значит, кол-иа УЛ. [45]

Страницы: 1 2 3 4