Непрямой процесс

Cтраница 1

Непрямые процессы, когда при переносе вещества от источника к подложке происходят химические превращения: пиролиз, восстановление, окисление, диспропорционирование, различные стадии химического синтеза и др. Состав промежуточной фазы отличается и от состава источника, и от состава растущего эпитаксиального слоя. Такие процессы наиболее распространены. [1]

Для непрямого процесса вероятность перехода не зависит от магнитного поля Н0 и пропорциональна квадрату концентрации. [2]

В непрямых процессах атомы полупроводника переносятся в составе соединений, которые диссоциируют на подложке. Выращивание состоит из: 1) переноса паров к поверхности подложки, 2) кристаллизации и роста новых слоев на поверхности подложки, 3) рассеяния скрытой теплоты кристаллизации и теплоты реакции. [3]

В непрямом процессе оптическое изображение проецируется на барабан ( или пластину), покрытый селеном или другим полупроводящим веществом, заряженным статическим электричеством. После того, как скрытое изображение проявится с помощью порошкообразного красителя, оно переносится на обычную бумагу посредством приложения электростатического поля и закрепляется на бумаге посредством тепловой обработки. [4]

Хлороформ и четыреххло ристый углерод вырабатывают в европейских странах главным образом при помощи известного непрямого процесса из ацетона или этилового спирта и хлористой серы и сероуглерода. [5]

Этот тип релаксации может происходить, например, через спин-спиновое взаимодействие или благодаря непрямому процессу. Время жизни двух равновероятных уровней обозначим т и затем будем варьировать, чтобы проиллюстрировать влияние релаксации на мессбауэровские спектры. [6]

При низких температурах преобладают прямые процессы, а при более высоких температурах большими скоростями обладают непрямые процессы. [7]

Частотные распределения для основного и возбужденного состояний в ансамбле атомов, освещаемых монохроматическим лазерным излучением с частотой ot. [8]

Переходы, индуцированные столкновениями, и спонтанная эмиссия непосредственно из состояния 2 в состояние 1, а также непрямые процессы восстанавливают исходное распределение и сглаживают провал. [9]

Схема косвенного процесса выделения аммиака. [10]

При полупрямом методе, представляющем собой сочетание прямого и косвенного методов, в аммонийную соль сильной кислоты превращают весь аммиак или только часть его; во втором случае остальной аммиак можно перерабатывать таким же способом, как и при непрямом процессе. [11]

При прямом процессе полупроводниковый материал распыляют и его атомы осаждаются на подложке. В непрямом процессе распыляют химические соединения полупроводникового материала, молекулы которого диссоциируют, и ионы полупроводника оседают на подложке, повторяя ее кристаллическую структуру. [12]

Он рассматривает все реакции как электролитический процесс. Реакция между неэлектролитами является непрямым процессом, вызываемым присутствием электролита, действующего на реагирующие вещества с образованием промежуточных стадий. Электролит, для которого этот исследователь предлагает название детерминант, имеет способность соединять реагирующие молекулы в электропроводящий комплекс. [13]

Вопрос о том, может ли диполь-дипольное взаимодействие привести к такому короткому времени Ти которое будет согласовываться с экспериментами на магнито-не разведенных кристаллах, является предметом многочисленных обсуждений и споров. Ван-Флек [88] установил, что механизм непрямого процесса также оказывается слишком слабым и приводит к временам релаксации, в 102 - 104 раз большим, чем измеряемые. [14]

Даже если это число представляется слишком большим по сравнению с отношениями, наблюдаемыми в действительности, заключение о том, что испарение кристалла и конденсация практически, протекают преимущественно непрямым путем, остается верным. По мере удаления от состояния равновесия в ту или иную сторону отношение числа непрямых процессов к числу прямых постепенно уменьшается, однако не в такой степени, чтобы существенно изменять твердо установленные факты. Одновременно, однако, добавляются новые процессы, которые изменяют поверхность столь решающим образом, что схематический подход к такого рода случаям не представляет практического интереса. Рассмотрение процессов лостроения кристалла и его декристаллизации имеет смысл лишь в области, ближайшей к равновесному состоянию. [15]

Страницы: 1 2