Непрямой процесс - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Ты слишком много волнуешься из-за работы. Брось! Тебе платят слишком мало для таких волнений. Законы Мерфи (еще...)

Непрямой процесс

Cтраница 2


В соответствии с положениями примечаний 1 и 2 к этой группе ( см. общие положения пояснений), в эту товарную позицию включаются также детали и принадлежности к товарам этой товарной позиции. К таким деталям и принадлежностям относятся барабаны и пластины, используемые в электростатических фотокопировальных аппаратах с непрямым процессом.  [16]

Из рис. 15.6 видно, что в поле 13 4 кЭ в интервале температур 1 7 К Т 3 8 К время релаксации 7 - Т-1 и только при Т 3 8 К заметно отклонение от этого закона. Такая зависимость от температуры указывает, что при Т; 3 8 К доминируют однофонон-ные процессы, тогда как при Т 3 8 К существенную роль играют непрямые процессы. В поле 3 3 кЭ 7 - Т-1 толькЪ при 1 7 г Г 2 8 К - Переход к более сильной зависимости 7 от температуры происходит уже при Т 3 К - Таким образом, увеличение магнитного поля приводит к некоторому сдвигу в область более высоких температур изгиба кривой Т1 ( Т), где начинают доминировать многофонон-ные процессы.  [17]

При прямом процессе атом, поглотив фонон, возбуждается и переходит на более высокий энергетический уровень, а потом другой фонон с той же энергией излучается в произвольном направлении, когда атом возвращается в свое первоначальное состояние. При непрямых процессах поглощаемые и излучаемые фононы имеют разные энергии.  [18]

Гидрогенолиз связей углерода с серой достигается применением избытка никеля Ренея. Каталитический гидрогено-лиз осуществить не удается, так как катализаторы отравляются соединениями серы. Десульфурация никелем часто используется в непрямых процессах восстановления.  [19]

20 Прямые излу-чательные переходы. [20]

В полупроводниках со сложным строением энергетических зон возможны непрямые переходы электронов из зоны проводимости в валентную зону, сопровождающиеся излучением фотона. В этом случае рекомбинация свободного электрона и дырки идет с участием фонона, что обеспечивает сохранение квазиимпульса. Наиболее вероятно излучение фонона. Если в полупроводнике протекают как прямые, так и непрямые процессы межзонной рекомбинации, то в спектре излучения наблюдается две полосы люминесценции.  [21]

Из выражения (6.48), которое, безусловно, применимо для гелиевых температур, можно получить любой желаемый количественный результат. Возможно, например, увеличить или уменьшить в 2 раза скорость звука, что изменит результат, в 210 ( - 103) раз. Следует заметить, что R входит в выражение (6.48) в шестнадцатой степени. Если эта оценка справедлива, то в области температур около 1 К непрямой процесс уступает место прямому, для которого Г4 возрастает значительно медленнее.  [22]



Страницы:      1    2