Неодномерной процесс
Cтраница 1
 |
Фотография ударной волны перед движущимся снарядом.| Ударная ( о и уединенная ( б волны огибающих. [1] |
Неодномерные процессы, в к-рых одновременно действуют нелинейность, рефракция и дифракция, обычно чрезвычайно сложны для исследования, даже в случае гармонических во времени В. [2]
При неодномерных процессах концентрации неравновесных носителей заряда по толщине базовых слоев в один и тот же момент времени распределяются по-разному в различных участках тиристора. Для изучения неодномерных процессов используется неодномерная модель тиристора. Изменение концентраций неравновесных носителей заряда исследуется в этом случае не только вдоль координатной оси, нормальной к плоскостям р-п переходов, но и вдоль координатных осей, параллельных плоскостям р-п переходов тиристора. [3]
К числу неодномерных процессов прежде всего относятся процесс включения тиристоров большой площади по управляющему электроду, а также процесс выключения по управляющему электроду. [4]
К настоящему времени неодномерные процессы, происходящие при выключении тиристоров по управляющему электроду, изучены не очень глубоко. Видимо, это является причиной того, что серийно выпускаемые при-5 боры такого типа рассчитаны на постоянный ток до 5 А. [5]
Обзор посвящен физике неодномерных процессов в р-п-р-п - структурах заметной площади. [6]
В этой главе будут рассмотрены только неодномерные процессы в тиристорах, связанные с локальным их включением по управляющему электроду. [7]
Приведенные выше качественные соображения не удается подтвердить непосредственными расчетами неодномерного процесса вытеснения ввиду особой сложности соответствующих задач. Однако возможно моделирование вытеснения при наличии начального градиента давления на щелевом тютке того же типа, который используется для моделирования движения вязких жидкостей. [8]
Надежность работы тиристоров в импульсных схемах и на высокой частоте в значительной мере определяется характером неодномерных процессов, протекающих в р-п-р-п - структурах. Можно ожидать, что оптимально сконструированные приборы позволят достичь значений рабочих частот порядка сотен килогерц ( для средних токов, примерно 100 А) и значений dl / dt в несколько десятков тысяч ампер в микросекунду. [9]
Разброс электрофизических и прочих параметров тиристоров по их площади влияет также и на характер протекания неодномерных процессов. Однако даже при отсутствии разброса параметров тиристоров по их площади эти процессы остаются неодномерными. В этом заключается принципиальное отличие неодномерных процессов от одномерных. [10]
При неодномерных процессах концентрации неравновесных носителей заряда по толщине базовых слоев в один и тот же момент времени распределяются по-разному в различных участках тиристора. Для изучения неодномерных процессов используется неодномерная модель тиристора. Изменение концентраций неравновесных носителей заряда исследуется в этом случае не только вдоль координатной оси, нормальной к плоскостям р-п переходов, но и вдоль координатных осей, параллельных плоскостям р-п переходов тиристора. [11]
Однако одномерный анализ неодномерных процессов является неполным. Полученные при одномерном анализе количественные результаты могут резко отличаться от действительных, а многие качественные стороны неодномерных процессов могут оказаться нераскрытыми. Тем не менее использование одномерной модели для изучения неодномерных процессов оказывается полезным, особенно на начальной стадии изучения этих процессов. Это связано с существенным упрощением математического анализа при использовании одномерной модели тиристора. [12]
Разброс электрофизических и прочих параметров тиристоров по их площади влияет также и на характер протекания неодномерных процессов. Однако даже при отсутствии разброса параметров тиристоров по их площади эти процессы остаются неодномерными. В этом заключается принципиальное отличие неодномерных процессов от одномерных. [13]
Однако одномерный анализ неодномерных процессов является неполным. Полученные при одномерном анализе количественные результаты могут резко отличаться от действительных, а многие качественные стороны неодномерных процессов могут оказаться нераскрытыми. Тем не менее использование одномерной модели для изучения неодномерных процессов оказывается полезным, особенно на начальной стадии изучения этих процессов. Это связано с существенным упрощением математического анализа при использовании одномерной модели тиристора. [14]
В мощном приборе, имеющем большие геометрические размеры, из-за сопротивления растекания базового слоя плотность тока управления по площади эмиттерного перехода неодинакова и максимальна у границы эмиттера, примыкающей к электроду управления. В этом случае включение первоначально происходит в области с максимальной плотностью тока управления и затем включенное состояние с конечной скоростью распространяется по всей площади. Такой характер реального переходного процесса включения структур позволяет упростить его теоретическое рассмотрение и считать, что он состоит из двух независимых и следующих друг за другом процессов: одномерного процесса включения, охватывающего явления, протекающие вдоль линий тока, и неодномерного процесса распространения включенного состояния по площади. Рассмотрим эти процессы более детально. [15]
Страницы: 1 2