Неодномерной процесс - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
В развитом обществе "слуга народа" семантически равен "властелину народа". Законы Мерфи (еще...)

Неодномерной процесс

Cтраница 2


В полупроводниковых приборах на основе р-п - р - n - структур существует широкий круг явлений, для объяснения которых необходимо привлекать неодномерные модели. Зачастую эти явления определяют важные эксплуатационные характеристики приборов, такие, например, как стойкость к скорости нарастания анодного тока, быстродействие ( особенно в тиристорах, выключаемых по базе), способность выдерживать высокие значения dU / dt, потери мощности в переходных процессах. За последние десять лет накопился большой экспериментальный материал, с учетом которого создаются конструкции практически всех современных силовых тиристоров. Имеется сравнительно небольшое число теоретических работ но неодномерным процессам в р-п-р-и - структурах большой площади, однако во всех этих работах рассматриваются, как правило, весьма грубые качественные модели. Это связано с большой сложностью как в постановке неодномерных задач, так и в решении получаемых уравнений.  [16]

Однако одномерный анализ неодномерных процессов является неполным. Полученные при одномерном анализе количественные результаты могут резко отличаться от действительных, а многие качественные стороны неодномерных процессов могут оказаться нераскрытыми. Тем не менее использование одномерной модели для изучения неодномерных процессов оказывается полезным, особенно на начальной стадии изучения этих процессов. Это связано с существенным упрощением математического анализа при использовании одномерной модели тиристора.  [17]

Полученные результаты учитывали одномерные тепловые процессы в структуре полупроводникового ключа, т.е. предполагалось, что максимальная температура структуры действует на всей площади перехода. Это, как правило, справедливо при относительно больших длительностях протекающего тока, когда полупроводниковая структура прибора успевает полностью включиться. Рекомендуется использовать представленное в справочных данных переходное тепловое сопротивление для тепловых расчетов в интервалах времени 10 мкс. В диапазоне единиц микросекунд в структуре полупроводникового ключа протекают неодномерные процессы, приводящие к локализации энергетических потерь и образованию так называемых горячих пятен.  [18]

Строятся решения двумерных нестационарных автомодельных задач о неограниченном безударном сжатии и разлете в вакуум идеального газа, покоящегося в начальный момент времени внутри призм и конусообразных тел при постоянных плотности и давлении. Поля течений строятся частично при помощи классов точных решений нелинейного уравнения для потенциала скоростей, а частично путем численных расчетов, в частности, методом характеристик. Исследуются особенности постановок краевых задач для конических нестационарных течений. Строятся аналитически приближенные законы управления движением сжимающих поршней. Найдены степени кумуляции энергии, плотности и показано, что описанные неодномерные процессы сжатия энергетически выгоднее, чем процесс сферического сжатия для получения локальных сверхвысоких плотностей вещества. Для задач об истечении в вакуум из конуса строятся фронты истечения с точками излома.  [19]



Страницы:      1    2