Cтраница 3
Диаграмма хрупкого разрушения нитевидного кристалла сапфира при 1200 С.| Диаграмма пластичного разрушения нитевидного кристалла сапфира при 1600 С. [31] |
В интервале 25 - 1000 С на ступеньках роста, которые являются сильными концентраторами напряжений, вначале зарождаются дислокации. Однако вследствие больших сил Пайерлса они неподвижны и не понижают прочности усов сапфира. При дальнейшем увеличении напряжения в месте концентрации возникает хрупкая микротрещина, которая и приводит к разрушению образца. [32]
Если усы имеют длину, достаточную для прочного сцепления с матрицей ( по боковой поверхности усов), то удается в значительной мере использовать их прочность. Прочность композитных материалов, содержащих по весу 40 - 50 % усов, составляет примерно 30 % прочности усов. [33]
Если усы имеют длину, достаточную для прочного сцепления с матрицей по боковой поверхности усов, то удается в значительной мере использовать их прочность. Прочность композитных материалов, содержащих по массе 40 - 50 % усов, в направлении вдоль усов составляет примерно 30 % прочности усов. [34]
Если усы имеют длину, достаточную для прочного сцепления с матрицей по боковой поверхности усов, то удается в значительной мере использовать их прочность. Прочность композитных материалов, содержащих по массе 40 - 50 % усов, в направлении вдоль усов составляет примерно 30 % прочности усов. [35]