Пучка - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Единственное, о чем я прошу - дайте мне шанс убедиться, что деньги не могут сделать меня счастливым. Законы Мерфи (еще...)

Пучка - электрон

Cтраница 3


31 Результаты анализа баланса разрядка по Ф. М. Пеннингу ( пунктир и по С. С. Васильеву ( сплошные линии, переходящие в точечный пунктир. [31]

Это должно объясняться тем, что в пучке электронов, имеющих близкие и сравнительно малые скорости, быстрые электроны присутствуют в меньшей доле, чем в статистическом ансамбле электронов с максвелловским распределением электронов по скоростям. Поэтому инжекция таких монохроматических пучков электронов в плазму разряда едва ли может способствовать увеличению его энергетической продуктивности в отношении возбуждения молекул. Но при прохождении через плазму импульсов тока высокого напряжения в нее вводятся электроны с повышенной средней скоростью, в числе которых может быть и большая доля электронов, способных вызвать возбуждение молекул, чем при максвелловском распределении.  [32]

Метод основан на исследовании объекта в проходящем пучке электронов.  [33]

Исследование поверхности массивного металлического образца в проходящем пучке электронов невозможно. Такое исследование интересно не только для изучения поверхностных образований на металлах, но и микрорельефа чистой металлической поверхности. Использование отраженных электронов тоже позволяет получить изображение поверхности, но менее четкое. В этом случае изготовление реплик не требуется.  [34]

35 Бациллярный тип спорообразования у С1о - stridium sporopenatum. Увел. X 3500.| Слияние нуклеоидов на полюсах клеток ( перед спорообразованием. Clostridium sporopenitum. Увел. X 3500.| Образование ядерных тяжей в процессе спорообразования. Clostridium sporopenitum. Увел. X 3500. [35]

Целые клетки из-за своей большой толщины непрозрачны для пучка электронов. Поэтому, чтобы выявить внутреннюю структуру, бактериальную клетку разрезают на десятки и даже сотни отдельных ломтиков ( срезов) толщиной всего 200 - 600 А. Далее эти срезы просматривают в микроскопе.  [36]

В процессе облучения ампулы совершали вращательно-поступатель-ные движения относительно пучка электронов таким образом, что время пребывания каждого образца под пучком было меньше времени нахождения его вне зоны облучения. Доза, поглощенная пленкой образца, рассчитывалась с учетом интегрального потока электронов, задерживаемых медной пластиной, имеющей размеры образца, поглощающей все падающие на нее электроны и облучаемой в тех же условиях, что и образец.  [37]

Наиболее широко исследованными случаями движения заряженных частиц [28, 29] являются пучки электронов или других заряженных элементарных частиц. В указанных источниках содержатся также данные, имеющие отношение и к интересующей нас проблеме; в них рассматриваются нелинейные системы с полями значительной интенсивности, обусловленными наличием пространственных зарядов.  [38]

Во всех приведенных выше расчетах температура пучка ионов и пучка электронов предполагалась пренебрежимо малой. Как показал Свифт [464], учет конечной температуры частиц пучка не изменяет основного вывода о существовании решения (3.60) для произвольного значения Ф i и эффект конечной температуры пучка сводится в основном к увеличению толщины слоя, что лишь улучшает условия применимости обсуждаемой модели, основанной на предположении, что толщина слоя много больше ларморовского радиуса энергичных ионов.  [39]

Этот метод применим лишь для образцов, сквозь которые пучки электронов с высокими энергиями могут проходить без заметного поглощения и не вызывая зарядки образца. В некоторых случаях удается приготовить объемные образцы для микроскопических исследований, используя различные методы утончения-пластинок, но эти способы в случае стекол обладают сомнительными достоинствами из-за хрупкости исследуемых материалов. В-частности, молекулярные ха: s / рактеристики тонких пленок часто отражают, особен - ч VXHOCTH процесса напыления.  [40]

41 Кривые глубинных доз в воде для электронов различных энергий. [41]

В последнее время в радиационной химии начали широко использоваться пучки электронов высокой энергии ( 10 - 25 Мае), Здесь могут возникнуть такие условия, когда пробег электронов больше толщины слоя облучаемой системы.  [42]

Было обнаружено, что после сильного почернения микрокристаллов в пучке электронов исходные границы каждого микрокристалла все еще остаются четко различимыми, несмотря на то, что все серебро изменило свое расположение. Оказалось, что этот контур является горизонтальной проекцией границ желатиновой оболочки, окружавшей исходный микрокристалл. На рис. 8 приведена электронная микрофотография образца после электронной бомбардировки и затенения золотом. Пустые пространства, оставленные микрокристаллами бромида серебра, дают тень такой же длины как и микрокристаллы, еще содержащие серебро. Из последних двух снимков следует, что возбужденное серебро может проникать сквозь тонкий слой желатины.  [43]

Вероятность оже-процесса уменьшается с увеличением энергии первичного ионизирующего излучения или пучка электронов ( ионов) и атомного номера Z элемента. Для выхода рентгеновской флуоресценции имеет место обратная зависимость. При атомных номерах 3 Z14 для химического анализа используют обычно KLL - оже-переходы, а при 14 7 38 LMM - переходы.  [44]

В тех случаях, когда ось волокна ориентирована параллельно падающему пучку электронов, плоскость отражения располагается нормально к плоскости чертежа ( рис. 153) и дифракционная картина рассеяния характеризуется наличием дебаевских колец. Если образец повернуть, плоскость отражения внутри системы колец примет наклонное положение и как следствие этого дифракционные кольца расщепятся на отдельные дуги.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5