Отраженный пучок

Cтраница 3

В целях уменьшения экспозиции путем повышения интенсивности отраженного пучка Фанкухеном был предложен конденсирующий кристалл-монохроматор. [31]

На рис. 2.5 вертикальными черточками указано положение зеркально отраженного пучка. Случай 90 90 будет рассмотрен ниже. [32]

В большинстве случаев отраженное излучение симметрично относительно оси отраженного пучка, причем форма его фотометрического тела близка к эллипсоиду вращения. В этих случаях характеристику рассеяния принято определять отношением большой и малой осей эллипса продольной кривой силы света. Иногда в качестве характеристики рассеяния принимают угол раскрытия зонального телесного угла, в пределах которого заключено 70 % отраженного потока. Вполне понятно, что яркость пучка лучей направленно-рассеянного отражения неодинакова по различным направлениям пространства и имеет максимальное значение по оси пучка. Пределом увеличения рассеивающей способности отражающей поверхности является отражение от поверхности, яркость которой в отраженном свете одинакова по всем направлениям пространства и не зависит от угла падения на нее пучка лучей. [33]

Зависимость интенсивности отраженных лучей Ох от толщины слоя х, участвующего в отражении. [34]

Из рисунка следует, что 95 % интенсивности отраженного пучка возникает при дифракции в слое толщиной 0 025 мм и из них 50 % отражает состояние решетки в слое толщиной всего лишь 0 005 мм. [35]

Отражательная способность границы раздела /. и пропускание для первого проходящего пучка Т диэлектрического слоя в случае, когда плоскость колебания электрического вектора перпендикулярна плоскости падения.| Зависимость отношения интенсивностей прошедшего и отраженного пучков от угла падения пучка на плоскопараллельный диэлектрический слой с естественными границами. [36]

Поворот светоделителя относительно падающего пучка приводит к повороту отраженного пучка на двойной угол. Следовательно, изменение соотношения интенсивностей пучков требует в данном случае изменений в оптической системе голографической установки. [37]

В уравнении (4.45) / гд - параметр индикатрисы условного отраженного пучка, который по праву следует назвать параметром Апариси. [38]

Сравнение спектральных характеристик нерезонансного. [39]

Спектры рассеянного света и ФЛ регистрируют таким образом, чтобы зеркально отраженный пучок возбуждающего света не попадал в щель спектрального прибора, поскольку его интенсивность на много порядков больше интенсивности рассеянного света и ФЛ. На рис. 2.27 показана одна из оптических схем, применяемых для регистрации спектров рассеяния света и фотолюминесценции. [40]

При отражении рентгеновских лучей от кристаллической плоскости происходит уменьшение интенсивности отраженного пучка за счет поляризации. [41]

Поскольку отношение показателей преломления обычно меньше двойки, то интенсивность отраженного пучка значительно меньше 12 %, а часто, при п жпъ, интенсивность отраженного пучка близка к нулю. [42]

Влияние пространственного заряда [83] на характеристики отражательного клистрона усложняется наличием отраженного пучка. Это так называемая электронная настройка, которая показана на рис. 11.6, в; легко видеть, что она сопровождается изменением выходной мощности. [43]

Таким образом, достаточно учесть два слагаемых при вычислении интенсивности отраженного пучка и одно слагаемое при вычислении прошедшего пучка. Увеличение показателя преломления ведет к более медленной сходимости рядов, в этом случае необходимо учитывать большее число членов ряда. [44]

Интенсивность первого прошедшего пучка сначала падает быстрее, чем увеличивается интенсивность отраженного пучка. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5