Первичный пучок - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Любить водку, халяву, революции и быть мудаком - этого еще не достаточно, чтобы называться русским. Законы Мерфи (еще...)

Первичный пучок - электрон

Cтраница 1


Первичный пучок электронов направляется на поверхность диска, проходит зону электронной пушки оже-спектрометра с цилиндрическими зеркалами и фокусируется на следе трения.  [1]

Пренебрегая другими потерями энергии первичного пучка электронов ( неупругое рассеяние, поглощение), можно считать, что величина q определяет долю энергии падающей волны, дифрагированной при прохождении одного слоя атомов в кристалле. Теперь легко оценить, при какой толщине кристалла все падающие электроны претерпят дифракцию.  [2]

3 Схема установки для исследования распределения вторичных электронов по углу вылета.| Распределение плотности. [3]

Здесь се - угол падения первичного пучка электронов, Р - угол выхода вторичных электронов, Кг - первичный катод, Кг - вторичный катод ( эмиттер) и С-цилиндр Фарадея, служащий коллектором вторичных электронов.  [4]

Таким образом, в этих опытах было четко показано, что роль первичного пучка электронов, падающего на диэлектрик, сводится к поддержанию в стационарном состоянии положительных поверхностных зарядов, обусловливающих большой градиент поля, а не к выбиванию всех электронов, участвующих в эмиссионном токе.  [5]

6 Схема уровней энергии электронов в атоме S и возможные Оже-переходы. [6]

Выход Оже-электронов находится в прямой зависимости от интенсивности ( или тока) первичного пучка электронов. Оптимальные геометрические условия регистрации Оже-электронов отвечают углу падения первичного пучка 70 - 80 ( угол между направлением падающего пучка и нормалью к поверхности), при этом максимальная интенсивность эмиттируемых электронов оказывается в направлении нормали к поверхности мишени. Эти условия связаны с тем обстоятельством, что глубина выхода Оже-электронов из мишени очень мала по сравнению с глубиной проникновения первичных электронов.  [7]

8 Возможные типы симметрии систем точек на плоскости. [8]

Около схем приведены дифракционные классы симметрии кристаллов, для которых данная симметрия является наивысшей; в этих случаях направление первичного пучка электронов должно совпадать с соответствующим главным направлением в кристалле.  [9]

10 Схема экспериментальной установки. [10]

Первичный пучок электронов с малым поперечным сечением направляют на кристалл по нормали или близкому к нормали направлению и посредством подвижного коллектора электронов или флуоресцирующего экрана наблюдают отраженную дифракционную картину.  [11]

12 Образование дифракционных колец при прохождении рентгеновских лучей через тонкий слой кристаллического порошка. RiRz - направление падающих лучей, DiD2 - экран. Отраженные от кристаллов под углом лучи образуют на экране круг радиуса Ro tg 2 ( м, являющийся сечением конуса с углом 4 при вершине. Каждый дифракционный круг будет обязан своим возникновением граням кристаллов, для которых выполняется условие Брегга - Вульфа. [12]

При работе с быстрыми электронами пользуются тонкими пленками вещества толщиной в 10 - 5 - 10 - 4 см, состоящими из многих микрокристаллов. Основные закономерности рассеяния первичного пучка электронов, проходящего через поликристаллическую пленку, аналогичны закономерностям дифракции рентгеновских лучей в методе Дебая - Шеррера.  [13]

14 Зависимость коэффициента вторичной эмиссии а ( кривая / и зависимость фотоэмиссии Y ( кривая 2 от продолжительности удаления цезия ( времени дополнительного прогрева серебряно-кислородно-цезиевого эмиттера. [14]

В той же работе была обнаружена флуоресценция поверхности эмиттера при электронной бомбардировке, начиная с плотности первичного тока около 10 - D а / см и энергии первичных электронов около 40 эв. Заметное разрушение эмиттера за счет энергии первичного пучка электронов происходит при нагревании поверхности выше 100 С.  [15]



Страницы:      1    2