Центральное пятно
Cтраница 3
В случае Брэгга динамические максимумы в центральном пятне отсутствуют. [31]
Сканирование интерференционной картины относительно диафрагмы, выделявшей центральное пятно, осуществлялось путем изменения давления в барокамере, внутри которой установлен эталон. [33]
Нетрудно убедиться, что формула (13.12) для центрального пятна в пределах области своей применимости совпадает с формулой (2.21) для РПИ, полученной в макроскопической теории без учета кристаллической структуры вещества. [34]
Электронограмма ( рис. 127) состоит из центрального пятна и окружающих его колец различной интенсивности. Центральное пятно обусловлено нерассеянным пучком электронов, а кольца возникают за счет электронов, рассеянных под соответствующими углами к первоначальному направлению пучка. [35]
 |
Электронограммы СС14 и CS2. [36] |
Электронограмма ( рис. 120) состоит из центрального пятна и окружающих его колец различной интенсивности. [37]
Фотография, - полученная Лауэ, содержала ломимо центрального пятна, являющегося следом первичного пучка, систему пятен от лучей, дифрагированных кристаллом. [38]
 |
Электронш рамиа четы - г. [39] |
При рассмотрении фотографической пластинки мы видим в действительности центральное пятно, обусловленное пучком нерассеянных электронов, которое окружено несколькими концентрическими кольцами. [40]
Перемещают столик микроскопа, например, влево от центрального пятна до 40 - 50 кольца. Подойдя близко к центральному пятну ( примерно пятое-четвертое от центра кольцо), расставляют номера измеренных колец, считая от центра. Близкие к центру 3 - 4 кольца можно пропустить, так как их радиусы дадут самую большую относительную ошибку. Проводят отсчеты до того кольца, с которого начались измерения слева. [41]
Под расходимостью и лазерного излучения понимают угловой размер центрального пятна, который больше дифракционного предела ( Од Xld, где d - диаметр излучающей поверхности), вследствие большой угловой ширины излучения отдельных типов колебаний. Расходимость зависит от формы неоднородностей и индикатрисы рассеяния излучения в используемых кристаллах. Полупроводниковые лазеры генерируют излучение, расходимость которого в вертикальной плоскости приблизительно постоянна и равна 0 5 - 2, а в горизонтальной плоскости изменяется от образца к образцу и зависит от величины тока, проходящего через диод. [42]
Лучи, дифрагированные под малыми углами, образуют круги вокруг центрального пятна, которые при больших углах j / превращаются в дуги, затем в прямые и, наконец, в дуги обратной кривизны. [43]
Распространенная процедура фотоэлектрической регистрации интерференционной картины состоит в выделении центрального пятна интерференционной картины круглой диафрагмой. Пропущенное ею излучение регистрируется фотоэлектрическим фотометром. Если источник света имеет спектр с близко расположенными линиями, а линейная дисперсия спектрального прибора невелика, то для выделения из спектра исследуемой линии приходится уменьшать входную щель монохроматора. При этом щель монохроматора и ее изображение станут уже, чем диаметр центрального пятна интерференционной картины. Тогда вместо круглого центрального пятна из интерференционной картины вырезается участок, геометрия которого приближается к прямоугольнику. [44]
Из формул (14.12) следует, что излучение как в центральном пятне, так и в боковых пятнах является результатом суперпозиции трех волновых полей: рассеянного поля заряда и двух полей свободного излучения, выходящего из кристалла. Каждое из этих полей имеет свой фазовый множитель, осцилляционпым образом зависящий от толщины кристалла а. При больших толщинах, таких, что о) aim Aa2 / c 1 юа Im Aal / c, т.е. нормально проходящая часть излучения полностью поглощается в кристалле, а аномально проходящая часть поглощается еще незначительно, интенсивность излучения определяется интерференцией только двух полей: рассеянного поля заряда и аномально проходящего свободного поля. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5