Защита - транзистор
Cтраница 2
Узел защиты транзистора VT2, вообще говоря, в налаживании не нуждается. Сопротивление этого резистора должно быть минимальным, но обеспечивающим первоначальное открывание транзистора VT2 на время, достаточное для надежного самоблокирования системы. [16]
Цепь защиты транзистора, состоящая из диода, стабилитрона Дет ( см. рис. 62), резисторов R1 и R2 и конденсатора С1, объединена в один блок, и ее элементы залиты эпоксидной смолой. [17]
 |
Транзисторный коммутатор. [18] |
Приборы защиты транзистора, состоящие из диода, стабилитрона, сопротивлений 2 ом и 20 ом и конденсатора 1 мкф объединены в один блок и залиты эпоксидной смолой. [19]
Приборы защиты транзистора, состоящие из диода, стабилитрона, сопротивлений 2 и 20 ом и конденсатора 1 мкф, объединены в один блок и залиты эпоксидной смолой. [20]
 |
Работа транзисторного ключа на активно-индуктивную нагрузку. [21] |
Если для защиты транзистора используется диод, включенный по схеме рис. 2 - 12, то время спада тока в нагрузке составляет / сп. [22]
Этим обеспечивается защита транзистора VT3 от перенапряжений и его запирание. [23]
 |
Схема защиты транзистора от перенапряжения с помощью последовательной RC цепи ( а и шунтирующего диода ( б. [24] |
Физический смысл защиты транзистора с помощью диода заключается в том, что энергия, запасенная индуктивностью, передается с помощью диода источнику питания. [25]
 |
Схема защиты с помощью последовательной С-цепи. [26] |
Физический смысл защиты транзистора с помощью диода состоит в том, что энергия, запасенная индуктивностью, передается с помощью диода источнику питания и выделяется в активном сопротивлении нагрузки. Источник питания должен обладать способностью поглотить эту энергию, и при этом увеличение напряжения на нем должно быть незначительным. [27]
С целью защиты транзисторов от перенапряжении в схемах применяют стабилитроны, демпфирующие и ограничивающие диоды. [28]
С целью защиты транзисторов от перенапряжений в их схемы включают стабилизирующие, демпфирующие и ограничивающие диоды. [29]
 |
Схемы защиты транзисторов от пробоя при индуктивной нагрузке в их коллекторных цепях. [30] |
Страницы: 1 2 3 4