Защита - транзистор
Cтраница 3
Эффективным способом защиты транзистора от перегрузок по напряжению является включение параллельно индуктивной нагрузке демпфирующего диода. [31]
В УМ применена защита транзисторов выходного каскада от коротких замыканий на выходе УМ или в громкоговорителях. [32]
Существуют различные схемы защиты транзисторов от перенапряжения, поглощающие часть накопленной индуктивностью энергии или блокирующие транзистор от попадания в опасную высоковольтную область. [33]
Существуют различные устройства защиты транзисторов от перенапряжения, основанные на поглощении части накопленной индуктивностью энергии или блокирующие транзистор от попадания в высоковольтную область. [35]
Рассмотренные схемы обеспечивают защиту транзисторов от перенапряжений, вызванных целым рядом причин. В телевизионных приемниках причинами перегрузки по напряжению транзистора выходного каскада строчной развертки могут служить переходные процессы, возникающие при включении телевизора, ненормальной работе системы АПЧ и Ф, искровом пробое в высоковольтных цепях, колебаниях напряжения в питающей сети, неустойчивая работа задающего генератора. Кроме того, наряду с защитой от перенапряжения часто бывает необходимо защитить транзистор от импульсной перегрузки по току. [36]
Следует отметить, что защита транзисторов с помощью полупроводниковых стабилитронов является эффективной лишь при сравнительно небольших скоростях нарастания импульсов перенапряжений, так как стабилитроны имеют недостаточно высокое быстродействие. Для защиты от быстронарастающих импульсов следует применять ограничители напряжения с временем включения около нескольких наносекунд. [37]
Диод 1VD12 предназначен для защиты транзистора 1VT10 от пробоя отрицательными всплесками напряжения, обусловленными колебательным процессом строчной развертки в начале прямого хода. [38]
Наиболее сложной проблемой является защита транзисторов от вторичного пробоя. При развитии вторичного пробоя транзистор теряет управление по базе, и даже подавая на базу обратное смещение, запереть его нельзя. Единственным способом защиты транзистора в этом случае является распознавание развития вторичного пробоя во время задержки и шунтирование выводов коллектор-эмиттер транзистора с помощью быстродействующего тиристора. [39]
Диод VD4 служит для защиты транзистора VT3 от бросков напряжения самоиндукции с обмотки возбуждения генератора, возникающих в моменты закрывания транзистора. При этом ток самоиндукции замыкается через диод VD4, уменьшаясь по экспоненте. Конденсатор С2 устраняет помехи, связанные с работой регулятора и могущие проникнуть в бортовую сеть автомобиля. [40]
 |
Кривая изменения мощности рассеяния транзисторов Tt и Т2.| Стабилизация напряжения при помощи стабилитрона. [41] |
Диод D2 служит для защиты транзистора Т2 от обратного падения напряжения на эмиттерном переходе при низких значениях выходного напряжения. [42]
Реле защиты служит для защиты транзистора от большой силы тока при коротком замыкании в цепи обмотки возбуждения генератора. [43]
В усилителе мощности предусмотрена защита транзисторов выходных каскадов от короткого замыкания нагрузки Схема защиты выполнена на транзисторам 6 Т6 ( КТ315Б), 6 - Tll ( KT361E), работающих как ограничители тока. [44]
В УМ предусмотрена также защита транзисторов выходных каскадов от перегрева. В эмиттерную цепь транзистора 6 - TI5 включен терморезистор R6, расположенный на радиаторе одного из транзисторов выходного каскада УМ. При повышении температуры радиатора до определенного значения сопротивление терморезистора падает и включается триггер. Уменьшение напряжения на базе транзистора 6 - Т8 вызывает уменьшение напряжения на выходе УМ. [45]
Страницы: 1 2 3 4