Cтраница 1
Средняя работа выхода ср характеризует весь эмиттер в целом но отношению к термоэлектронной эмиссии. Необходимость ввести среднюю работу выхода, характеризующую всю поверхность твердого тела, может встретиться и при изучении других явлений. [1]
Изменение фотоэлектрического выхода в зависимости. [2] |
Измеряемая фотоэлектрическим методом средняя работа выхода всегда меньше истинной р, так как участки поверхности с большой работой выхода выключаются из эмиссионного процесса. Поэтому неравномерное распределение адсорбата по поверхности участков может вызвать небольшие различия в значениях Аф. Фотоэлектрический метод имеет различные экспериментальные ограничения. [3]
В и К - константы, которые включают соответственно такие свойства, как величина поверхности, средняя работа выхода с поверхности и геометрический фактор, учитывающий соотношение радиусов кривизны катода и анода. [4]
Значения р, приведенные для этих металлов в табл. 4.21, были получены на основе установленного Хопкинсом и Ривьере [66] значения средней работы выхода подвергнутого старению поликристаллического вольфрама. [5]
Фаулера - Нордхейма, хотя это и требует некоторых допущений, в частности об отсутствии влияния адсорбции на величину поверхности, с которой происходит эмиссия, и о возможности использования средней работы выхода ф аля описания лоскутной поверхности. Клейн [58], используя в качестве эталона чистую поверхность вольфрама ( ф 4 56 в), нашел, что покрытие поверхности металла монослоем атомов кислорода повышает работу выхода на 1 7 в. Гомер и Халм [59] обнаружили аналогичный рост примерно на 1 5 в при воздействии О2 на вольфрамовое острие при 30 К, а после нагревания до 300 К и возвращения к исходной температуре Аф оказалось равным 1 9 в. Это наблюдение дает основание считать, что при нагревании происходит активированная адсорбция, в ходе которой атомы кислорода передвигаются на менее доступные центры, освобождая тем самым центры с высокой энергией для дополнительной низкотемпературной адсорбции. [6]
Мюллер [11] указывает, что водород адсорбируется на вольфраме в виде атомов при 300 К и образует насыщенную пленку при давлениях от 10 - б до 10 - 3 мм. Средняя работа выхода этой пленки равна 4 93 эв. При 70 К часть водорода адсорбируется в виде атомов, а часть в виде молекул. Адсорбированные молекулы с повышением температуры десорбируются, и если давление не превышает 10 - 3 мм, то полная десорбция наступает при 300 К. При 700 К весь водород десор-бируется за несколько секунд. В предварительных опытах мы установили, что часть водорода, адсорбированного на вольфраме при 300 К, десорбируется при температурах ниже 700 К и что средняя работа выхода увеличивается примерно до 5 5 эв. Воз-растение величины ср различно для разных граней. Согласно нашим наблюдениям, воспроизводимые результаты могут быть получены в том случае, если парциальное давление О2 или Н2О не превышает 10 - 10 мм. Даже при парциальном давлении паров воды, равном 10 - 9 мм, и давлении водорода, близком к 10 - 7 мм, вольфрам загрязняется за несколько минут и его не удается регенерировать нагреванием ниже 2200 К. Это снова подчеркивает тот факт, что надежные результаты по адсорбции водорода на вольфраме могут быть получены только в приборе, позволяющем создавать сверхвысокие разрежения. Большинство работ по адсорбции водорода на металлах требуют их повторения в условиях, более близких к идеальным. [7]
Средняя работа выхода ср характеризует весь эмиттер в целом но отношению к термоэлектронной эмиссии. Необходимость ввести среднюю работу выхода, характеризующую всю поверхность твердого тела, может встретиться и при изучении других явлений. [8]
Отдельные кристаллические грани вольфрама имеют различную работу выхода от 4 36 до 4 65 эв. Для поликристаллического катода принимается некоторая средняя работа выхода, равная 4 52 эв. Среднее значение может изменяться в процессе перекристаллизации вольфрама, так как будут меняться поверхности, образованные разными гранями. [9]
Метод Кельвина дал, естественно, значение средней работы выхода, а что за величина измерялась по методу Андерсона - не совсем ясно. [10]
Поскольку одна из составляющих работы выхода % зависит от структуры вещества, между разными участками поверхности одного и того же вещества также устанавливается КРП. КРП между поверхностями двух таких пятнистых материалов дает разность между средними работами выхода. [11]
Величина ф для титана составляет 4 эВ, тогда как значение Ф для сплава 2 85 эВ более чем на 1 эВ ниже. Было бы полезно произвести измерения контактной разности потенциалов для этой же системы, чтобы найти среднюю работу выхода при различных соотношениях компонент, что явилось бы более надежным определением поверхностных свойств. [12]
Металлические поверхности большей частью являются поликристаллическими, но если на поверхности возникает преимущественная ориентация кристаллов, то работа выхода соответстзующеи кристаллической грани будет оказывать преобладающее влияние при измерениях поверхностного потенциала. Кроме этого, как показано в разделе V, небольшие отклонения получаемых данных можно объяснить особенностями самого метода измерения поверхностных потенциалов; истинная средняя работа выхода р определяется методами к. [13]
Схема трубки электронного проектора, пригодной для изучения граней монокристалла. [14] |
Поскольку грани с низкой работой выхода эмиттируют электроны наиболее сильно, они будут сильнее влиять при расчете усредненного значения, которое поэтому будет стремиться приблизиться к наиболее низкой величине работы выхода из имеющихся на поверхности. Например, если вклад в измеряемую силу тока дают только две грани с равной поверхностью и работами выхода 4 5 и 5 0, средняя работа выхода, полученная по уравнению Ф - Н, составит 4 53 В. [15]