Cтраница 1
Фотоэлектрическая работа выхода, или, точнее, кажущийся порог фотоэффекта для этой поверхности, оказалась равной 4 74 0 02 эВ, что находится в прекрасном согласии со значением, полученным методом термоэлектронной эмиссии Норриса. Авторы полагают, что предварительная температурная обработка кристалла, проводившаяся Норрисом, приводила, вероятно, к образованию такой же поверхностной структуры. [1]
Спектры фотоэдс ФАМ ( не. [2] |
Следует заметить, что фотоэлектрическая работа выхода с поверхности ФАМ в вакууме, по нашим измерениям, составила 4.9 эв. [3]
Поскольку обычный способ измерения фотоэлектрической работы выхода по Фаулеру к полупроводникам не применим, следует проявлять большую осторожность, пользуясь для этих веществ методом контактной разности потенциалов. В лаборатории автора данные получали [25], комбинируя измерения контактной разности потенциалов и работы выхода полупроводниковых металлов в единой экспериментальной установке. Это позволило распознавать ложные изменения рассматриваемых величин и получать абсолютные, а не относительные данные. Было найдено, что величины работы выхода для атомно-чистых граней ( 100), ( 111) и ( 110) поверхности германия совпадают в пределах ошибки эксперимента. [4]
Одно из первых определений изменения фотоэлектрической работы выхода металлической поверхности при адсорбции было проведено Айвесом и Олфином [64], получившими результаты для пленок Na, К, Rb и Cs на вольфраме. [5]
Изменение фотоэлектрического выхода при адсорбции водорода на не подвергавшейся спеканию поверхности никеля. [6] |
Захтлер и Доргело [74] определили изменение фотоэлектрической работы выхода при адсорбции N2 и Н2 на напыленных пленках никеля и тантала. [7]
Фотоячейка для исследования электронного взаимодействия между хемосорбированными молекулами и катализатором обладающим электрической проводимостью. [8] |
На рис. 2 показана фотоэлектрическая ячейка, предназначенная для прямого определения фотоэлектрической работы выхода с поверхности металла при хемосорбции. Катодом является катализатор, обладающий электрической проводимостью. [9]
Пока еще получено мало экспериментальных данных, если не считать металлы, у которых сродство к электрону равно фотоэлектрической работе выхода. [10]
Спектральная характеристика квантового выхода фотоэмиссии натрия. [11] |
Для каждого вещества при Т 0 существует минимальная ( пороговая) частота излучения v0, способного вызвать ФЭ; А, 0 cha - красная граница ФЭ; A-VO - пороговая энергия, или фотоэлектрическая работа выхода. [12]
Спектральная характеристика квантового выхода фотоэмиссии натрия. [13] |
Для каждого вещества при Т - 0 существует минимальная ( пороговая) частота излучения мс, способного вызвать ФЭ; К е с / м0 - красная граница ФЭ; Ач0 - пороговая энергия, или фотоэлектрическая работа выхода. [14]
Следует отметить, что теории Фаулера и дю Бриджа, как уже указывалось в разд. И действительно фотоэлектрическая работа выхода для чистых металлов близко совпадает со значениями, полученными другими методами. В то же время значения поверхностного потенциала, полученные фотоэлектрическим методом для целиком заполненных поверхностей металлов, часто не согласуются с измеренными другими методами; фотоэлектрический метод дает, как правило, заниженные значения. Однако не следует пренебрегать и влиянием плотности поверхностных состояний вместе с эффектом пятнистой структуры. Так, например, Фарнсворт и Уинч [32] измеряли работы выхода для граней ( 111) и ( 100) монокристаллов серебра и в той же самой установке определяли КРП между ними методом вибрирующего конденсатора. [15]