Фотоэлектрическая работа - выход
Cтраница 2
В связи со сказанным необходимо сделать одно замечание. Именно, величина термодинамической ( или истинной) работы выхода, определяемой уровнем электрохимического потенциала в металле, может оказаться меньше величины фотоэлектрической работы выхода. [16]
 |
Диаграмма энергии электрона на поверхности полупроводника, показывающая два порога EI и. 2 при различной плотности поверхностных, состояний. [17] |
Фотоэлектрический эффект в полупроводниках ( и диэлектриках) сложен. Функция Фаулера в данном случае неприменима, и даже пороговая частота, как правило, не связана с работой выхода по уравнению ( 21), хотя величину, получаемую из нее, часто называют фотоэлектрическая работа выхода. Минимальная энергия фотонов, необходимая для выбивания электрона, зависит от энергии самого высокого заполненного состояния. [18]
Основные требования, предъявляемые к материалу электрода, состоят в следующем: возможно большее соотношение вторичных и первичных частиц; работа выхода должна быть большой, материал должен иметь высокую температуру плавления, обеспечивающую возможность его обезгаживания при высоких температурах; кроме того, он не должен отравляться под действием ионного пучка или атмосферы. Аллен нашел, что всем этим требованиям удовлетворяет бериллий, который характеризуется отношением вторичных электронов к протонам примерно 2 2 [2161] при низких энергиях; это отношение увеличивается до 8 при высоких энергиях [30]; фотоэлектрическая работа выхода составляет 3 92 эв [1302], поэтому фотоэлектроны не могут образовываться на его поверхности под действием видимого света. [19]
Совершенно иное положение в случае границы электрод - раствор, где можно легко изменить энергетический барьер, изменяя межфазный скачок потенциала. Следовательно, эффективная работа выхода фотоэлектрона зависит от потенциала электрода. Фотоэлектрическая работа выхода из ртути в вакуум составляет 4 50 в. Таким образом, если пренебречь влиянием, которое оказывают на фотоэмиссию с границы металл - раствор ориентированные диполи и адсорбированные ионы, эмиссия при потенциале электрокапиллярного максимума должна начинаться с длины волны, равной 2750 А. Эта приближенная оценка прекрасно соответствует экспериментальным результатам, приведенным в настоящей работе. [20]
ФЭ из полупроводника может быть обусловлена оптическим возбуждением электронов из зоны проводимости ( в вырожденных полупроводниках re - типа), с уровней примесей или дефектов или из валентной зоны. Для каждого из этих случаев Ачо имеет свое значение. Обычно, если иное не оговорено, под фотоэлектрической работой выхода понимают минимальную энергию фотонов, при которой начинается ФЭ из валентной зоны полупроводника. Это значение может совпадать с термоэлектронной работой выхода eq полупроводника или быть больше нее. При этом фотоэлектрическая работа выхода становится равной ширине запрещенной зоны полупроводника, а квантовый выход ФЭ резко возрастает, так как выходить из полупроводника в вакуум могут электроны, переведенные излучением из валентной зоны в зону проводимости и имеющие в ней практически нулевую энергию. [21]
 |
Спектральная характеристика квантового выхода фотоэмиссии натрия. [22] |
ФЭ из полупроводника может быть обусловлена оптическим возбуждением электронов из зоны проводимости ( в вырожденных полупроводниках n - типа), с уровней примесей или дефектов или из валентной зоны. Для каждого из этих случаев Ам0 имеет свое значение. Обычно, если иное не оговорено, под фотоэлектрической работой выхода понимают минимальную энергию фотонов, при которой начинается ФЭ из валентной зоны полупроводника. Это значение может совпадать с термоэлектронной работой выхода еф полупроводника или быть больше иее. При этом фотоэлектрическая работа выхода становится равной ширине запрещенной зоны полупроводника, а квантовый выход ФЭ резко возрастает, так как выходить из полупроводника в вакуум могут электроны, переведенные излучением из валентной зоны в зону проводимости и имеющие в ней практически нулевую энергию. [23]
ФЭ из полупроводника может быть обусловлена оптическим возбуждением электронов из зоны проводимости ( в вырожденных полупроводниках re - типа), с уровней примесей или дефектов или из валентной зоны. Для каждого из этих случаев Ачо имеет свое значение. Обычно, если иное не оговорено, под фотоэлектрической работой выхода понимают минимальную энергию фотонов, при которой начинается ФЭ из валентной зоны полупроводника. Это значение может совпадать с термоэлектронной работой выхода eq полупроводника или быть больше нее. При этом фотоэлектрическая работа выхода становится равной ширине запрещенной зоны полупроводника, а квантовый выход ФЭ резко возрастает, так как выходить из полупроводника в вакуум могут электроны, переведенные излучением из валентной зоны в зону проводимости и имеющие в ней практически нулевую энергию. [24]
 |
Спектральная характеристика квантового выхода фотоэмиссии натрия. [25] |
ФЭ из полупроводника может быть обусловлена оптическим возбуждением электронов из зоны проводимости ( в вырожденных полупроводниках n - типа), с уровней примесей или дефектов или из валентной зоны. Для каждого из этих случаев Ам0 имеет свое значение. Обычно, если иное не оговорено, под фотоэлектрической работой выхода понимают минимальную энергию фотонов, при которой начинается ФЭ из валентной зоны полупроводника. Это значение может совпадать с термоэлектронной работой выхода еф полупроводника или быть больше иее. При этом фотоэлектрическая работа выхода становится равной ширине запрещенной зоны полупроводника, а квантовый выход ФЭ резко возрастает, так как выходить из полупроводника в вакуум могут электроны, переведенные излучением из валентной зоны в зону проводимости и имеющие в ней практически нулевую энергию. [26]
Страницы: 1 2