Вектор - бургерс
Cтраница 1
 |
Реакция между двумя параллельными дислокациями. [1] |
Векторы Бургерса с минимальным значением Ь2 более стабильны, поэтому и направление скольжения всегда совпадает с наиболее коротким трансляционным вектором. [2]
 |
Дислокационная петля в идеальном кристалле. [3] |
Дислокация характеризуется вектором Бургерса, замыкающим контур, охватывающий дислокацию. [4]
Так как знак вектора Бургерса зависит от направления, в котором ] проложем контур Бургерса, более целесообразно выразить это следующим образом: векторная сумма векторов Бургерса любого числа дислокационных линий, встречающихся в точке, должна быть равна нулю, если контуры Бургерса прокладываются в направлении по часовой стрелке вокруг каждой из линий, когда ее рассматривают из точки, в которой они соединяются. Дислокационные линии, соединяющиеся в узлы такого рода, могут образовать двухмерную и трехмерную сетки в кристалле. [5]
 |
Схема заторможенной частичной дислокации. [6] |
Частичные дислокации с векторами Бургерса, лежащими в плоскости дефекта упаковки, имеют характер дефектов, показанных на рис. 105, и образуются при скольжении. [7]
Мощность дислокации измеряется длиной ее вектора Бургерса. Геометрия дислокации полностью характеризуется ее вектором Бургерса и ее положением. Винтовая дислокация лежит параллельно ее вектору Бургерса. Краевая дислокация лежит под прямым углом к ее вектору Бургерса. Криволинейная дислокация может варьировать по характеру между краевой и винтовой дислокациями вдоль своей длины, но ее вектор Бургерса остается неизменным. Соответственно дислокационная линия никогда не может закончиться в кристалле. Она может закончиться на свободной поверхности, замкнуться на себя или соединиться с другими дислокациями. [8]
Значение г обычно берется кратным нескольким величинам вектора Бургерса. Именно эта энергия дислокации ( которая может составлять несколько электронвольт на атомную плоскость, пересекаемую дислокацией) и ответственна за образование ярко выраженных фигур травления при течении химических реакций в точках выхода линий дислокаций. На микрофотографии, показанной на рис. 3, видно как легко с помощью метода травления можно реально оценить число линий дислокаций, пересекающих данную поверхность кристалла. Более надежные результаты измерения количества дислокаций получаются при использовании методов просвечивающей электронной микроскопии, рентгеноскопии, дифракции рентгеновских лучей и методов декорирования. [10]
Поверхности псевдорешетки одного семейства плоскостей, нормальных к вектору Бургерса, обнаруживающие две краевые дислокации, которые составляют простую границу под малым углом между непараллельными областями кристалла. [11]
В отличие от краевой дислокации ось винтовой дислокации параллельна ее вектору Бургерса. [13]
 |
Схема образования ступенек при пересечении дислокаций. [14] |
Ступеньки образуются при пересечении двух дислокаций ( при условии, что вектор Бургерса одной из них не лежит в плоскости скольжения другой), или в результате аналогичного взаимодействия петель, или в случае присоединения к дислокации атома или вакансии. [15]
Страницы: 1 2 3 4