Дебаевский радиус - экранирование
Cтраница 2
Скорость частицы гиЕ ( 1 - аЕ1), где и - электрофоретическая подвижность в линейной области поляризации; а - коэффициент, зависящий от радиуса частицы, электрокинетического потенциала, дебаевского радиуса экранирования и других факторов. [16]
Больцмана, п - концентрация свободных электронов ( пли равная ей концентрация положительных ионов), е - заряд йлектрона, Ti - температура положительных ионов, Т, - температура электронов, е0 - электрическая постоянная, Параметр D называют дебаевским радиусом экранирования. [17]
КУЛОНОВСКИЙ ЛОГАРИФМ ( LK) - безразмерный параметр плазмы, показывающий, во сколько раз полное сечение рассеяния ополи, определяемое) в осн. L nrD / pL, ГД6 rD - дебаевский радиус экранирования, р - прицельный, параметр ближнего взаимодействия. Подробнее см. ст. Плазма и лит. [18]
Характерной длиной установления квазинейтральности термодинамически равновесной плазмы является дебаевский радиус экранирования го V kT / Ьлпе, где я и Т - концентрация и темп-ра невозмущешой плазмы. [19]
Условием существования плазмы является некоторая минимальная плотность заряженных частиц, начиная с которой можно говорить о плазме как таковой. L - линейный размер системы заряженных частиц, D - так называемый дебаевский радиус экранирования, представляющий собой то расстояние, на котором происходит экранирование кулоновского поля любого заряда плазмы. [20]
Таким образом, приближенно можно считать, что на расстояниях rD электростатическое поле иона или электрона в плазме практически полностью экранируется. Вот почему размер D, являющийся одной из важнейших характеристик плазмы, называется дебаевским радиусом экранирования. [21]
Как следует из работы [44], учет объемного двойного слоя на границе раздела фаз приводит к более низкому значению частоты дисперсии. Эта погрешность может оказаться существенной при исследовании плохопроводящих систем, размер которых сравним с дебаевским радиусом экранирования. [22]
Известно, что процессы схватывания твердых тел происходят при взаимодействии между тонкими приповерхностными слоями, энергетические и структурные характеристики которых при любом состоянии поверхности ( ювенильная, химически адсорбировавшая атомы другого вещества или покрытая слоем оксида) существенно отличны от таковых в объеме твердого тела. В связи с большим различием в электронном строении атомов, статических и динамических параметрах решетки эти приповерхностные слои на глубине дебаевского радиуса экранирования имеют принципиально другие количественные соотношения, характеризующие способность к взаимной растворимости веществ и ее предельные ограничения. [23]
Для плотной плазмы могут быть применены представления сплошной среды. По сравнению с нейтральным газом плазма характеризуется рядом дополнительных безразмерных параметров, среди которых отметим произведение ларморовской частоты на время между столкновениями, отношение дебаевского радиуса экранирования к характерному размеру течения, отношение индуцированного магнитного поля к приложенному, характеризуемое магнитным числом Рейнольдса Remi отношение пондероморотных сил к инерционным, отношение магнитного давления к гидродинамическому. [24]
Условием существования плазмы является некоторая минимальная плотность заряженных частиц, начиная с которой можно говорить о плазме как таковой. Эта плотность определяется в физике плазмы из неравенства L /), где L - линейный размер системы заряженных частиц, D - так называемый дебаевский радиус экранирования, представляющий собой то расстояние, на котором происходит экранирование кулоновского поля любого заряда плазмы. [25]
Кроме того, если даже рассматривать другой возможный вариант - локальное повышение электронной плотности и соответствующее снижение барьера Пайерлса вблизи атомов легирующей примеси [519, 520], то и в этом случае максимальное проявление эффекта, по-видимому, следует ожидать вблизи поверхности, так как на глубине дебаевского радиуса экранирования концентрация примеси будет максимальна. [26]
Термодинамика однокомпонентной плазмы проста в предельных случаях. Если у I ( малые плотности, высокие темп-ры - идеальная плазма), плазма газообразна, она описывается дебаевским приближением. На расстоянии дебаевского радиуса экранирования rD ( 4mt ( Z - e lkT) - 2 осуществляется экранировка заряда, а поправка к внутр. AU / riikT - ( ч / 3 / 2) уJ 2 - В пределе сильной неидеальности, когда у 1 - сильное кулоновское отталкивание локализует ионы в пространственную структуру ( кулоновский кристалл), внутр. Примерами такой неидеальной плазмы является кристаллизованная одно-компонентная плазма примеси многозарядных ( Z l) ионов в недрах тяжелых планет и двумерная одноком-понентная плазма электронов на поверхности жидкого гелия. [27]
Для размеров, больших по сравнению с дебаевским радиусом экранирования It ], определяемым соотношением (10.106), плазма ведет себя как непрерывная среда, в которой заряженные частицы участвуют в коллективном движении, каковыми являются, например, колебания плазмы. Это означает, что при вычислении потерь энергии дебаевский радиус играет ту же роль, которую играют атомные размеры при исследовании поляризационных эффектов. [28]
 |
Схема вырожденного четырсхиолнового взаимодей. [29] |
Рассеяния частиц и за счет парных соударений, и на колебаниях ( волнах) могут рассматриваться как частны. При этом парные соударения - результат рассеяния на флуктуа-циях микрололей с пространственными размерами меньше дебаевского радиуса экранирования, г / - У Т / Лпе, а рассеяние на флуктуациях с размерами, большими гд, определяет вклад плазменных колебаний. [30]
Страницы: 1 2 3