Величина - барьерная емкость
Cтраница 1
Величина барьерной емкости зависит от площади р-и-перехода и его толщины х0, которая в свою очередь зависит от обратного напряжения. Барьерная емкость косвенно влияет на частотные свойства вентиля. С увеличением барьерной емкости возрастают потери при обратном напряжении. [1]
Поскольку величина барьерной емкости перехода обратно пропорциональна его площади, для повышения быстродействия необходимо уменьшить геометрические размеры элементов и увеличить рабочую силу тока. [2]
Конечно, величины барьерных емкостей Ск и Сь зависят не только эт соотношения удельных сопротивлений слоев, но и от площадей переходов. Технология изготовления дрейфовых транзисторов обеспечивает гораздо меньшие площади, чем сплавная технология, и это: пособствует уменьшению барьерных емкостей. [3]
 |
Схема замещения для измерений барьерной емкости. [4] |
Сэ) мин зависит от величины барьерной емкости Сх. Для стабилитронов и силовых диодов ( Сх 20 пф) частота / с может быть порядка 10 - 105 гц, а ( Сэ) мин 20 - 100 пф. [5]
Такие гначеиия на несколько порядков превосходят величину барьерной емкости. [6]
Простой вывод соотношений для ширины перехода и величины барьерной емкости, проведенный выше, можно было осуществить только для частного случая, когда концентрация примесей постоянна вдоль каждой однородной области полупроводника ( р и п) и затем резко ( скачком) изменяется до нуля при переходе через границу раздела. [7]
В микромощных схемах предъявляются повышенные требования к величинам барьерных емкостей эмиттерного и коллекторного переходов транзисторов, а также емкости перехода коллектор - подложка. Это обусловлено тем, что с уменьшением токов включения и выключения транзистора все большую роль играют процессы перезаряда барьерных емкостей переходов и других паразитных емкостей схемы. [8]
Наряду с этими импульсными параметрами диод характеризуется обычно величиной дифференциальной барьерной емкости Сд при заданной величине обратного смещения. [9]
 |
Структура диода с выпрямлением на контакте металл - полупроводник ( а и его энергетическая диаграмма ( б. [10] |
В результате инерционность диодов с выпрямлением на контакте металл - полупроводник определяется величиной барьерной емкости выпрямляющего контакта. [11]
Эти диоды имеют столообразную структуру и малую площадь перехода, благодаря чему уменьшается величина барьерной емкости. Термин меза происходит от испанского слова Mesa - стол. При изготовлении меза-диодов на поверхности пластины 2 с дырочной проводимостью методом диффузии создается слой 3 с электронной проводимостью. Затем пластина покрывается специальной маской и подвергается травлению. Маска защищает от травления небольшие участки. В результате травления на пластине образуются столообразные выступы, в которых сохраняются np - переходы небольших размеров. После этого пластина распиливается на отдельные диоды. [12]
Величина этих емкостей порядка 0 5 - 1 пф, а значение АСП, как правило, превышает величину барьерной емкости. [13]
Изложенное позволяет сделать вывод, что с уменьшением тока эмиттера в микрорежиме величина диффузионной емкости падает значительно быстрее, чем величина барьерной емкости. [14]
 |
Зависимость емкости ступенчатого ( а и плавного ( б переходов от обратного напряжения. [15] |
Страницы: 1 2