Величина - барьерная емкость
Cтраница 2
Как видим, емкость перехода представляется несколько необычной, потому что ее величина зависит от приложенного напряжения. Оценим величину барьерной емкости для германиевого диода, полагая / 0 0 6 мк; Дф0 0 35 в S 0 01 смг и I U 1 в; тогда Сп 150 пф. [16]
Такие значения на несколько порядков превосходят величину барьерной емкости. [17]
 |
Структура твердотельного конденсатора.| Эквивалентная схема интегрального конденсатора. [18] |
Емкость конденсатора, образованного р - / г-переходом, зависит от площади перехода и ширины запирающего слоя, а следовательно, от степени легирования и градиента концентрации примесей. Кроме того, как нам уже известно, величина барьерной емкости р-д-перехода зависит от величины приложенного напряжения. [19]
 |
Структура диода с выпрямлением на контакте металл-полупроводник ( а и его энергетическая диаграмма ( б. [20] |
В результате инерционность диодов с выпрямлением на контакте металл-полупроводник определяется величиной барьерной емкости выпрямляющего контакта. При малой площади нанесенного электрода ( диаметр 20 - 30 мкм) и при относительно широком потенциальном барьере из-за высокого удельного сопротивления эпитаксиального слоя барьерная емкость диода может иметь величину около 1 пф. [21]
Потенциальный барьер образован неподвижными зарядами: положительными и отрицательными ионами. Емкость, обусловленная этими зарядами, называется барьерной. При изменении запирающего напряжения меняется толщина р-и-перехода, а следовательно, и его емкость. Величина барьерной емкости пропорциональна площади / 7-и-перехода, концентрации носителей заряда и диэлектрической проницаемости материала полупроводника. При малом обратном напряжении толщина р-и-перехода мала, носители зарядов противоположных знаков находятся на небольшом расстоянии друг от друга. [22]
Потенциальный барьер образован неподвижными зарядами: положительными и отрицательными ионами. Емкость, обусловленная этими зарядами, называется барьерной. При изменении запирающего напряжения меняется толщина р-и-перехода, а следовательно, и его емкость. Величина барьерной емкости пропорциональна площади р-и-перехода, концентрации носителей заряда и диэлектрической проницаемости материала полупроводника. При малом обратном напряжении толщина / - и-перехода мала, носители зарядов противоположных знаков находятся на небольшом расстоянии друг от друга. [23]
Основной причиной инерционности полупроводниковых диодов при работе в режиме переключения является эффект накопления неравновесных носителей заряда вблизи р-о перехода. Кроме того, важную роль в инерционности диода играет барьерная емкость р-п перехода. Поскольку малое значение барьерной емкости типично и для высокочастотных диодов в ряде случаев отдельные типы этих приборов могут использоваться в импульсных схемах. Известно, что роль эффекта накопления неравновесных носителей заряда ослабевает при уменьшении их времени жизни. Снижение же величины барьерной емкости достигается главным образом уменьшением площади р-п перехода. [24]
Основной причиной инерционности полупроводниковых диодов при работе их в режиме переключения является эффект накопления неравновесных носителей заряда вблизи р-п перехода. Изучение основных физических закономерностей, связанных с этим эффектом, позволяет рассчитать инерционность диода в той или иной схеме и найти технологические пути, позволяющие уменьшить эффект накопления и повысить быстродействие диода. Кроме того, важную роль в инерционности диода играет барьерная емкость р-п перехода. Поскольку малое значение барьерной емкости типично и для высокочастотных диодов, в ряде случаев отдельные типы этих приборов с успехом используются в импульсных схемах. Известно, что роль эффекта накопления неравновесных носителей заряда ослабевает при уменьшении их времени жизни. Снижение величины барьерной емкости достигается главным образом уменьшением площади р-п перехода. [25]
Страницы: 1 2