Величина - диффузионная емкость
Cтраница 1
Величина диффузионной емкости пропорциональна току через переход. [1]
Величина диффузионной емкости тем больше, чем больше ток через р - - переход. Она также зависит от времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике. Неосновной носитель, введенный в полупроводник в течение некоторого времени, будет в нем существовать, двигаясь внутри него. Время, прошедшее от момента появления неосновного носителя до момента его рекомбинации, называется временем жизни. [2]
Объясните, почему величина диффузионной емкости чмиттера пропорциональна величине протекающего юка. [3]
 |
Зависимости собственных параметров полупроводникового триода от температуры. [4] |
Так как коэффициент диффузии обратно пропорционален температуре, влияние ее на величину диффузионной емкости эмиттера незначительно. [5]
Изложенное позволяет сделать вывод, что с уменьшением тока эмиттера в микрорежиме величина диффузионной емкости падает значительно быстрее, чем величина барьерной емкости. [6]
Это соответствует максимальной величине адсорбционной псевдоемкости при Е 2 ( 520 мкф / см2 для Гоо 1 3 - Ю-10 молъ / см.) и Cai О при Ei / r Формально это означает, что при потенциалах основной волны перенос заряда осуществляется на неадсорбированные частицы, и соответствующий пик псевдоемкости не может превысить величину диффузионной емкости. [7]
Помимо барьерной емкости переходу свойственна так называемая диффузионная емкость, вызванная инжекцией дырок в п-область ( или электронов в р-область) при прямом смещении перехода. Величина диффузионной емкости зависит от заряда носителей, накопленных в полупроводниковых слоях за пределами р-п-пере-хода за счет прямого тока. Диффузионная емкость пропорциональна току и практически всегда намного больше барьерной емкости при прямом смещении перехода. [8]
Формула для расчета диффузионной емкости (5.150) указывает на ее линейную зависимость от тока эмиттера. На величину диффузионной емкости эмиттера влияет также напряжение на коллекторе, которое изменяет толщину базы до. Поэтому с увеличением напряжения на коллекторе диффузионная емкость эмиттера уменьшается. [9]
При всех расчетах эта емкость должна быть добавлена к зарядной емкости коллекторного перехода. Так как величина диффузионной емкости прямо пропорциональна эмиттерному току, то приборы обычно характеризуют величиной емкости на 1 ма тока. Для обычных режимов до токов 10 - 20 ма величина диффузионной емкости обычно мала по сравнению с зарядной емкостью коллекторного перехода. [10]
 |
Модель диода, поясняющая возникновение диффузионной проводимости. [11] |
Следовательно, величина диффузионной емкости зависит от длительности входного импульса или частоты входного сигнала. [12]
При со ( ог / 2 диффузионная емкость становится частотно-зависимой. Можно легко подсчитать, что величина диффузионной емкости эмиттера значительно превосходит величину зарядной емкости. Так, например, для транзисторов, имеющих зарядную емкость коллектора порядка 10 пф, величина зарядной емкости эмиттер но го перехода не превышает 100 пф. В то же время при соа 6 - 107 сек 1 ( fa 10 Мгц) величина Сэд для тока iao 1 ма ( гэ ж 25 ом) составляет 800 пф. Дальнейший рост предельной частоты привел бы к выравниванию значений СЭз и Сэд, однако одновременно с увеличением предельной частоты стараются уменьшить и емкость коллектора путем уменьшения площади перехода с одновременным уменьшением площади эмиттерного перехода. [13]
Емкость Сэб в основном определяется диффузионной составляющей. Как указывалось, при рассмотрении свойств р-п-перехода величина диффузионной емкости пропорциональна постоянному току эмиттера и времени жизни основных носителей заряда. Эффективное время жизни основных носителей в области базы определяется средним временем перемещения зарядов от эмит-терного перехода к коллекторному. [14]
В этом случае основную роль играет барьерная емкость перехода Сб. Наоборот, при больших прямых токах емкость перехода определяется величиной диффузионной емкости Сдиф, которая значительно превышает барьерную. [15]
Страницы: 1 2