Cтраница 2
При всех расчетах эта емкость должна быть добавлена к зарядной емкости коллекторного перехода. Так как величина диффузионной емкости прямо пропорциональна эмиттерному току, то приборы обычно характеризуют величиной емкости на 1 ма тока. Для обычных режимов до токов 10 - 20 ма величина диффузионной емкости обычно мала по сравнению с зарядной емкостью коллекторного перехода. [16]
Резонансная и критическая частоты. Статические параметры ТД определяются его вольтамперной характеристикой. Динамические параметры определяются по эквивалентной схеме ( рис. 7.3), которая предложена на основании выводов теории, объясняющей туннельный эффект в р-п переходе и учитывающей конструктивные паразитные параметры. На этой схеме эквивалентная индуктивность Ьл является чисто конструктивным параметром и определяется геометрической формой вводов и конструкцией ТД. Емкость Сд ТД при заданном напряжении смещения определяется емкостью р-п перехода и диффузионной емкостью. Поскольку полупроводниковые материалы, образующие р-п переход, имеют высокую концентрацию примесей, то время жизни носителей зарядов мало. Вследствие этого будет мала и величина диффузионной емкости. [17]