Электронографический анализ

Cтраница 2

Использование данных электронографического анализа для определения характера взаимодействия атомов возможно лишь при тщательном определении экспериментальных значений структурных амплитуд. В связи с этим возникает необходимость детального учета влияния температуры на интенсивность рассеянных электронных волн. [16]

Подготовка препаратов для электронографического анализа на просвет принципиально не отличается от подобной работы при электронно-микроскопическом анализе. Порошки для исследования на просвет наносят на пленку-подложку, которая помещается на металлическую сетку-держатель размером 2 - 6 мм. В качестве подложки применяют, например, пленку коллодия или углерода. Углеродную пленку получают на вакуумной установке типа ВУП испарением углерода из угольных спектральных электродов. [17]

Чаще всего задачами электронографического анализа являются те же задачи, которые решаются и в рентгеноструктурном анализе: определение кристаллической структуры, проведение фазового анализа, определение текстуры и ориентировок. [18]

Рентгено - и электронографическим анализом внутреннего строения аморфных веществ установлено, что ряд из них имеет высокодисперсное кристаллическое строение. [19]

Таким образом, с помощью электронографического анализа установлены основные физико-химические изменения в поверхностных слоях образцов, происходящие за время приработки их на маслах с присадкой серы. [20]

Для прямого контроля характеристик тонкой структуры слоя используются методы рентгеноструктурно-го или электронографического анализа. Такого рода контроль может осуществляться только в условиях специализированных лабораторий. А для экспресс-контроля состояния поверхностного слоя при химико-термической обработке применяются чаще всего простые переносные коэрцитиметры, которые заранее калибруются с привлечением прямых методов структурного анализа. Отечественная промышленность выпускает несколько типов таких ко-эрцитиметров ( У 5030, КФ-I, КИФМ-1, Полюс-1), а также магнитные твердомеры ( МФ-ЮК, ЭМТ-2, ТАМ-6), импульсный магнитный анализатор ИМА-2А. [21]

Обычно применяемые при исследовании структуры твердых тел методы рентгено - и электронографического анализа позволяют сделать общие выводы о наличии той или иной кристаллической модификации, нормальной или искаженной, в твердом скелете адсорбента и о некоторой средней степени его дисперсности. [22]

Величина R0 может быть получена из молекулярных спектров или рентгенографического или электронографического анализа молекул, а величины V и А - из атомных спектров. [23]

Зависимость предела текучести Рт, коэффициента упрочнения X и толщины пачек скольжения Z от концентрации раствора олеиновой кислоты в вазелиновом масле. [24]

Обычно металлографические методы изучения структур деформированных металлов ( за исключением рентге-но - и электронографического анализа) позволяют наблюдать в общей картине деформации лишь такие детали, размеры которых не менее 2 - 10 - 5 см. Таким образом, даже наиболее совершенные металломикроскопы не могут разрешить отдельные элементарные акты соскальзывания - сдвигов по плоскостям скольжения, развивающихся в процессе деформации металлов и приводящих к образованию пачек скольжения толщиною нескольких десятков атомных слоев. [25]

Координационное число проще всего установить, когда методами рентгеноструктурного, нейтроне - или электронографического анализа определено строение изучаемого вещества. [26]

Изучение кристаллических структур методами рентгенострук-турного ( основан на дифракции рентгеновских лучей кристаллической решеткой вещества) и электронографического анализа ( основан на дифракции электронов или нейтронов) показало, что реальные кристаллы отличаются от идеальных. В реальных кристаллах строгая пространственная периодичность нарушается из-за наличия дефектов кристаллической структуры. Многие свойства кристаллических тел объясняются наличием таких дефектов. Последние могут быть собственными, если они образуются вследствие теплового движения в кристалле, или примесными, если в кристалле появляются посторонние примеси, введенные случайно или преднамеренно. Дефекты могут затрагивать одну или несколько элементарных ячеек или весь кристалл в целом. В технологии пигментов большой интерес представляют, например, такие дефекты, как ультрамикротрещины, определяющие прочность кристалла, что в свою очередь играет важную роль в процессах измельчения и диспергирования пигментов. Если в момент кристаллизации возникают механические помехи росту кристалла, в нем может возникнуть дефект, называемый дислокацией. При деформациях кристалла дислокации и их скопления могут перерастать в ультра-микротрещины. [27]

Одновременно с изготовлением для инфракрасного анализа слоев 3, 6 и 7 при той же самой операции осаждения пудры на сильвин заготавливались образцы и для электронографического анализа. Наоборот, часть образца, к которой относилась кривая 6, была полностью прокристаллизована и, по данным кристаллооптического анализа, содержала два силиката. Стекло, гретое 8 и 11 ч, электронографически не исследовалось. [28]

Для установления взаимосвязи между физико-механическими характеристиками тампонажного камня и особенностями его микроструктуры была применена электронномикроскопическая методика исследования реплик с эстракцией частиц с излома образца в сочетании с электронографическим анализом объекта. Сущность методики и ее возможности будут обсуждены ниже. [29]

Концентрации озона, превышающие предельно допустимые нормы, могут быть не только в помещениях, где находится установка его получения, но и в лабораториях, занимающихся изучением процессов получения азотной кислоты, перекиси водорода, электролизом воды, а также в лабораториях спектрального, рентгеновского, электронографического анализа. Он служит также исходным веществом для получения неорганических и органических озонидов. [30]

Страницы: 1 2 3 4