Величина - поверхностный заряд
Cтраница 1
Величины поверхностного заряда и скорости поверхностной рекомбинации, которые различны в ( разных приборах и меняются со временем, обусловливают распределение величин параметров диодов и транзисторов в широких пределах и вариации этих распределений во времени. Следовательно, для оценки надежности приборов необходимо иметь способы определения распределили параметров поверхности и знать их изменения во времени. [1]
На величину поверхностного заряда существенно влияют и другие дефекты на поверхности или внутри кристаллической решетки. [2]
 |
Зонная диаграмма полупроводника при наличии поверхностного заряда.| Изменение поверхностного потенциала в случае обеднения и инверсии на поверхности. [3] |
На величину поверхностного заряда и его знак оказывают влияние окружающая газовая среда, положение уровня Ферми в объеме полупроводника и вид химической обработки кристалла. [4]
Их величина прямо пропорциональна величине поверхностного заряда частиц, их радиусу, общему числу в единице объема, а также скорости оседания частиц и сложно зависит от электропроводности, плотности и вязкости промывочной жидкости. [5]
Характер влияния поверхностных явлений зависит от знака и величины поверхностного заряда. Рассмотрим три причины, приводящие к изменению обратных токов из-за поверхностных явлений. [6]
 |
Влияние поверхностных состояний на обратную ветвь вольт-амперной характеристики диода. [7] |
Характер влияния поверхностных состояний зависит от знака и величины поверхностного заряда. Рассмотрим три возможных варианта влияния поверхностных состояний. [8]
 |
Зависимость силы взаимодействия бислоев липидов ( Р от расстояния ( Л между ними. я - в н / см2.| К расчету сил структурного отталкивания бислоев липидов. [9] |
Параметры Л0 и Ро практически не зависят от величины поверхностного заряда. [10]
 |
Зависимость силы взаимодействия бислоев липидов ( Р от расстояния ( А между ними.| К расчету сил структурного отталкивания бислоев липидов. [11] |
Параметры / г0 и Ро практически не зависят от величины поверхностного заряда. [12]
Избежать этой ошибки трудно в связи с тем обстоятельством, что величина поверхностного заряда и, следовательно, величина ошибки зависит от столь большого числа различных факторов, что воспроизводимость и возможность ввести поправку на эту ошибку довольно ненадежны. Однако известно, что в случае однородного образца описанный выше эффект одинаков для каждого атома и каждой орби-тали, поэтому при использовании соответствующего внутреннего стандарта можно избавиться или, по крайней мере, уменьшить величину этой ошибки. [13]
В Ленинградском технологическом институте разработан по-верхностемер, определяющий удельную поверхность по величине поверхностного заряда, сообщаемого порошку. Прибор прост и перспективен. [14]
Из рисунка видно, что длительность и температура сушки в указанных диапазонах существенно влияют на величину поверхностного заряда системы ме-таллчметилтриацетоксисилан-кремний. В данном случае объяснить это можно, вероятно, следующим образом. [15]
Страницы: 1 2 3 4