Величина - поверхностный заряд
Cтраница 2
Достаточно сказать, что для Земли ( масса 1027 г, радиус - 109 см) величина поверхностного заряда ( 3) отвечает одному электрону на 1 м2 поверхности. [16]
 |
Хроматография с поперечным. размыванием пятен. [17] |
Комбинированная тонкослойная хроматография и электрофорез позволяют использовать комбинацию различных принципов разделения веществ: электрофореза, осуществляющего разделение веществ по величине поверхностного заряда и связанной с ним электрофоретической подвижности, и хроматографического метода, основанного на межмолекулярных взаимодействиях. [18]
 |
Смещение максимума скорости поверхностной рекомбинации в сторону положительного потенциала из-за того, что эффективное сечение захвата у дырок больше, чем у электронов. [19] |
Следовательно, ловушки рекомбинации в полупроводниках п - и р-типов имеют одинаковую природу, и скорость поверхностной рекомбинации определяется только величиной поверхностного заряда. Все это указывает на сильную зависимость скорости поверхностной рекомбинации от величины поверхностного потенциала. [20]
 |
Переход металл - полупроводник р-типа. [21] |
Откуда следует, что чем больше разность работ выхода полупроводника и металла, тем больше глубина проникновения поля контактной разности потенциалов в полупроводник и тем больше величина поверхностного заряда. [22]
Увеличение температуры и времени сушки приводит к более полному удалению продуктов гидролиза и, тем самым, к уменьшению концентрации протонов, которые вносят свой вклад в величину поверхностного заряда. Из рис. 5 видно также, что полная сушка исследуемых пленок происходит при температуре 180 С в течение 24 часов, так как дальнейшее увеличение времени и температуры сушки незначительно сказывается на величине поверхностного заряда. [23]
Электрорадиографический ( ксерорадиографический) процесс контроля ясен из рис. 5.47. Для получения электрорадиографического изображения необходимо на всех этапах его получения выполнять ряд требований, вытекающих из специфики метода. Величина поверхностного заряда должна быть пропорциональна плотности исследуемого изделия и иметь высокую контрастность. Это достигается подбором величины поверхностного заряда при электризации пластины. Высокая контрастность снимка обеспечивается за счет краевого эффекта, выражающегося в резком переходе оптических плотностей почернений на их границе. [24]
 |
Обратная ветвь вольтамперной характеристики диода. / - характеристика при туннельном или лавинном пробое. 2 - характеристика при тепловом пробое. [25] |
Так, например, адсорбция кислорода связана с образованием отрицательного, а паров воды - положительного заряда на поверхности. Знак и величина поверхностного заряда существенно влияют на ширину перехода у поверхности и, таким образом, на результирующее напряжение пробоя, которое в этом случае может оказаться в несколько раз меньше. Для устранения влияния поверхностных состояний на работу перехода требуется очень тщательная обработка поверхности. Наиболее эффективным средством устранения поверхностного пробоя является покрытие перехода слоем вещества с более высокой диэлектрической проницаемостью, чем у полупроводника. [26]
Ферми на поверхности кристалла относительно объема. С другой стороны, величина поверхностного заряда а ( при заданной системе поверхностных уровней и при заданной их концентрации) сама зависит от положения уровня Ферми sj на поверхности. [27]
Интерес к этим процессам связан также с тем, что ими определяются многие свойства полупроводниковых приборов. Недостаточно хорошая воспроизводимость и стабильность величин поверхностного заряда и скорости поверхностной рекомбинации приводят к невоспроизводимости и нестабильности характеристик приборов. В то же время создание методов обработки поверхности полупроводников и полупроводниковых приборов, которые могли бы обеспечить достаточную стабильность и воспроизводимость поверхностных свойств, возможно только при понимании природы и закономерностей поверхностных электронных процессов. [28]
При диффузионном рассеянии меняется величина скорости, а вектор скорости может принять любое направление. Подвижность носителей заряда уменьшается тем сильнее, чем больше величина поверхностного заряда. [29]
У большинства исследованных нами образцов обратные токи возрастают пропорционально приложенному напряжению. Ток поверхностной утечки, обусловленный аномальным каналом, изменяется с изменением величины соответствующего поверхностного заряда. Кроме молекул, находящихся в прочной связи на поверхности, всегда имеются молекулы в состоянии слабой хемосорбции и физической адсорбции. Последние могут переходить в состояние хемосорбции при сообщении им определенной энергии активации. При погружении приборов в расплав стекла, вероятно, изменяется соотношение между различными формами адсорбции и вместе с тем изменяется заряд поверхности. [30]
Страницы: 1 2 3 4