Величина - объемный заряд
Cтраница 3
Это объясняется некоторым увеличением начального напряжения я уменьшением величины объемного заряда. На голых проводах диаметром 4 и 7 мм корона при частотах выше 13 кгц является стримерной. На проводах с таким же внешним диаметром, но покрытых слоем диэлектрика, стримеры не возникают и корона при этих частотах продолжает оставаться лавинной. [31]
 |
Устройство многорезонаторного магнетрона. [32] |
Знак величины Рг таков, что происходит электронное замедление волны, если ofjOi и наоборот, волна ускоряется в случае v0v a. Степень такой самосинхронизации зависит от ряда причин в том числе и от величины объемного заряда. С его ростом компенсация холодного рассинхронизма увеличивается. [33]
При приложении к системе электродов изменяющегося во времени напряжения имеет место корона переменного тока. Среди отличительных особенностей внешней зоны короны этого типа следует отметить: наличие в ней зоны, в которой отсутствует объемный заряд; изменение во времени и пространстве распределения и величины объемного заряда; наличие не только конвективного тока, но и тока смещения. [34]
 |
Уменьшение объемного заряда электронов со временем в антрацене в линейных ( а и полулогарифмических ( б координатах. [35] |
Затем в различные промежутки времени, большие, чем время облучения, образец зондировали коротким возбуждающим импульсом при внешнем напряжении на образце, равном нулю. Таким образом, амплитуда импульса дырок является мерой величины объемного заряда. [36]
 |
Характеристика диода. [37] |
Транзистор п-р - п типа состоит из тонкого слоя полупроводника р типа, расположенного между двумя областями п типа. В нормальном режиме работы транзистор включается в цепь, как показано на рис. 9.4. Три вывода транзистора названы базой, эмиттером и коллектором. Они включаются в электрическую цепь таким образом, что знак напряжения между базой и эмиттером соответствует проводящему состоянию перехода, а напряжение между базой и коллектором соответствует непроводящему состоянию перехода. Количество неосновных носителей - электронов, инжектируемых в базу эмиттером, - определяется числом дырок, находящихся в базе, так как от их числа зависит величина объемного заряда. Инжектированные электроны, являющиеся в базе неосновными носителями, диффундируют сквозь базу и, притягиваясь потенциалом коллектора, свободно проходят сквозь переход база - коллектор. [38]
 |
Схема развития искрового канала. [39] |
По мере продвижения искрового канала в глубь разрядного промежутка появляются новые стримеры ( рис. 2.16), в то время как образованные ранее создают вокруг канала зону объемного заряда за счет вытягивания электронов из стримеров и свобождения избыточного положительного заряда ионов. По экспериментальным данным, при продвижении искрового канала на 1 см через него протекает заряд в 1 ч - 2 мкк. Очевидно, что такой же величины положительный заряд при этом образуется в объеме газа. Однако, поскольку стримеры развиваются преимущественно в направлении к противоположному электроду, это не означает, что количество объемного заряда на 1 см длины искрового канала также составляет 1ч - 2 мкк. Ориентировочно величина объемного заряда на единицу длины искрового канала в длинных воздушных промежутках может быть оценена из следующих соображений. [40]
 |
Характеристики колебаний в зависимости от времени в режиме установления колебаний в магнетронном генераторе. [41] |
Предгенерационный режим характеризуется образованием электронного облака. В это время поле пространственного заряда мало и не ограничивает тока эмиссии. С ростом пространственного заряда вылет эмиттируемых электронов уменьшается, и катод переходит в режим ограничения тока пространственным зарядом. На рис. 8.6 а показаны соответствующие зависимости характеристик колебаний от времени. Из него видно, что в начале происходит лавинообразный рост тока Ik электронов, возвращающихся на катод и вторично-эмиссионного тока Is. Величина суммарного объемного заряда qs в межэлектродном пространстве также быстро нарастает. [42]
Результаты аналитического решения уравнения Пуассона качественно интерпретируются следующим образом. Внешнее электрическое поле перемещает свободные носители заряда в полупроводнике до тех пор, пока они своим зарядом не скомпенсируют внешнее поле. Это значит, что при подаче на металл отрицательного потенциала относительно полупроводника поле направлено от полупроводника к металлу, оно перемещает электроны в глубь полупроводника, а дырки к поверхности, и приповерхностный слой, заряжаются положительно. Положительный потенциал металла приводит к появлению отрицательного заряда в приповерхностном слое. В зависимости от типа электропроводности полупроводника это приводит либо к обогащению, либо к обеднению слоя носителями заряда с последующей инверсией типа электропроводности. Если приложение поля происходит мгновенно, то заряд образуется в течение времени, равном времени релаксации Максвелла. Указанную на рис. 103 структуру, состоящую из металлического электрода, полупроводника и разделяющего их слоя диэлектрика - воздуха, - можно рассматривать как плоский конденсатор, одной из обкладок которого и является полупроводник. Это позволяет оценивать величину объемного заряда по толщине слоя диэлектрика и разности потенциалов между полупроводником и металлом. Изменяя потенциал металла, можно изменять объемный заряд. Если система электродов М позволяет получить электрическое поле определенной конфигурации, то и заряд в приповерхностном слое будет отражать конфигурацию внешнего поля. Меняя конфигурации внешнего поля, мы тем самым изменим конфигурацию объемного заряда и проводимость приповерхностных слоев. [43]
Страницы: 1 2 3