Величина - индукция - насыщение
Cтраница 2
Индукция насыщения Вв представляет собой максимальное, практически достигаемое для данного материала значение индукции. При этом значении индукции атомы и кристаллические решетки материала под воздействием напряженности поля Я оказываются в максимальной мере одинаково ориентированными. Величина индукции насыщения Bs одинакова при разных знаках напряженности поля. [16]
 |
Характеристики вход - выход магнитного усилителя с самоподмагничиванием в коммутационном режиме. [17] |
Пока не будет достигнута индукция насыщения Bs, магнитная проницаемость материала ( на участке В0 - 3 - /) будет высокой, индуктивное сопротивление хму большим, а ток нагрузки - малым. В этом полупериоде ток нагрузки будет принимать максимальные мгновенные значения с того момента, когда индукция станет равна индукции насыщения Bs. Чем больше отрицательный ток управления, тем ниже спускается по петле гистерезиса точка В0 и тем меньше среднее значение тока нагрузки за полупериод. При определенном отрицательном значении тока управления магнитный режим может оказаться таким, что индукция никогда не будет достигать величины индукции насыщения. [18]
Страницы: 1 2