Cтраница 1
Величина эффективной массы теоретически не вычислена и экспериментально не измерена. [1]
Величина эффективной массы 40 т для CdSnAs2 по различным измерениям [5, 6] изменяется в пределах у 0 02 - 0 06 тй. Так как соединенно CdSnAs2, является узкозонным, в нем наблюдается зависимость т от концентрации электронов в силу отступления зоны проводимости от параболич-ности. [2]
Величина эффективной массы теоретически не вычислена и экспериментально не измерена. [3]
Другим независимым источником определения величины эффективной массы являются данные по электропроводности металл-аммиачных растворов. Надо отметить, что общий ход изменения последней с концентрацией довольно хорошо предсказывается теорией. [4]
Зная структуру зон и величину различных эффективных масс ( такие данные имеются, например, для германия и кремния), можно с помощью уравнения (4.23) вычислить ni для любой температуры. Если же эффективные массы неизвестны, но известна ширина запрещенной зоны, то, подставляя в уравнение (4.18) значение массы свободного электрона, можно оценить лишь порядок величины п Для таких полупроводников, как InSb, у которых Ъ очень велико, ni можно определить из измерений проводимости в собственной области. Для этого достаточно знать ( д е, так как вклад дырок в проводимость будет чрезвычайно мал. [5]
Значение подвижности связано с величиной эффективной массы зарядов. [6]
Кривизна зоны, как и величины эффективных масс тс и являются функциями уровня Ферми. [7]
Существует некоторая неопределенность в отношении величины эффективной массы дырок в InSb. [8]
Гликсман и Вайзер [23] пытались определить величину эффективной массы дырок в фосфиде индия с помощью электрических измерений на материале р-типа. По температурной зависимости коэффициента Холла они установили, что для акцепторов энергия активации равна примерно 0 05 эв. [9]
Численное значение плотности состояний будет связано с величиной эффективной массы, так как фактически в выражении (8.7) под т следует понимать именно эту величину. [10]
Численное значение плотности состояний будет связано с величиной эффективной массы, так как фактически в выражении (8.7) под in следует понимать именно эту величину. [11]
Подвижность электронов определяется, как известно, величиной эффективной массы носителей и их взаимодействием с решеткой. Влияние каждого из этих факторов трудно оценить. [12]
На GaP было выполнено мало магнитооптических измерений, но величина эффективной массы в наинизшей зоне проводимости была определена с помощью эффекта Фарадея [490] и оказалась равной 0 35 т0 при комнатной температуре. [13]
Кроме того, необходимо иметь в виду, что величина эффективной массы т, входящая во все выражения ( 76.1 - 31), есть эффективная масса электрона в валентной зоне, или масса дырки. [14]
Для определения численных значений Nc и Nv необходимо знать величину эффективных масс те и mh [ см. равенства ( 4.15 а) и ( 4.16 а) ], которые известны далеко не всегда. PI даже тогда, когда точные численные значения эффективных масс неизвестны. [15]