Cтраница 2
Однако независимый расчет на основании электрохимических данных приводит к величине эффективной массы, значительно отличающейся от рассчитанной из спектроскопии. Эти исследователи облучали одиночными электронными импульсами 4 - Ю 5 N раствор Ва ( ОН) 2 и измеряли наблюдавшийся в результате прирост электропроводности. Эта величина заметно меньше приводившейся ранее для аммиака. Последний, по-видимому, является скорее исключением, чем правилом, так как растворы щелочных металлов в аминах, где также предполагается существование сольватирован-ного электрона, показывают величину эквивалентной электропроводности, близкую к определенной Шмидтом и Баком в упомянутой работе. Время релаксации молекул воды при 20 С составляет - 6 5 - 10 - 12 сек. [16]
Заметим, что в принципе возможны реакции обмена, в которых величины эффективной массы активированного комплекса будут различны в зависимости от направления разложения. [17]
Индексы, поставленные у т, показывают, в каком направлении берется величина эффективной массы. [18]
Таким образом, критическая концентрация очень чувствительна к энергии ионизации примеси и величине эффективной массы. [19]
Таким образом, критическая концентрация очень чувствительна к энергии ионизации примеси и величине эффективной массы. В соединениях AlllBv критическая концентрация может иметь значения много меньше 1019 см-3. Nfp) получим значение кр 1012 см 3, что наблюдается для антимонида индия. Критическая концентрация Л дКр позволяет оценить концентрацию, необходимую для начала вырождения полупроводника, поскольку при F EC полупроводник перестает быть невырожденным, однако это еще не есть вырождение в том смысле, что концентрация носителей заряда не зависит от температуры в каком-то интервале. Для этого необходима большая концентрация примеси. [20]
Поэтому при известном механизме рассеяния совместное измерение эффекта Холла и дифференциальной термо-эдс позволяет оценить величину эффективной массы электрона. [21]
Микроволновой циклотронный резонанс наблюдали в InSb п-типа Дрессельхауз, Кип, Киттель и Вагонер [35]; величина эффективной массы электронов по их данным равна ( 0 013 0 001) тга. Выяснилось, что резонансная частота не зависит от ориентации кристалла. Это говорит о том, что поверхности постоянной энергии зоны проводимости InSb сферически симметричны. [22]
На самом деле при переходе из полупроводника в металл часть электронов отражается от поверхности за счет различия в величинах эффективных масс электрона в полупроводнике и в металле. [23]
АЕ - 0 44 эв для арсенида индия ( эти значения экстраполированы к 0 К) - Далее, величина эффективной массы электронов в зоне проводимости, определенная по поглощению на свободных носителях, плавно и монотонно падает от значения, характерного для фосфида индия, до значения, характерного для арсенида индия. [24]
Эффективная масса носителя тока играет немаловажную роль для получения максимальных параметров термоэлемента, однако до настоящего времени нет ясных указаний о том, к какой величине эффективной массы нужно стремиться, чтобы получить наилучшие результаты. [25]
Если учесть зависимость тао от / п, то подвижность оказывается пропорциональной т - Это означает, что подвижность носителей в кристаллах в сильной степени зависит от величины эффективной массы. [26]
Ландау эквидистантны, а химический потенциал ц значительно превосходит Йшс. Данное выражение позволяет определить величину эффективной массы и время релаксации в нулевом поле ту из экспериментальных данных по температурной и полевой зависимостям амплитуды осцилляции. [27]
При этом каждая подзона давала отдельную резонансную линию, поскольку из-за сильной непараболичности эффективные массы в подзонах различались. Найденные из резонансных значений поля величины эффективных масс находились в разумном согласии с теорией, в особенности при слабых магнитных полях. Помимо этого амплитуды резонансов хорошо соответствовали заполнению подзон, определенному из осцилляции Шубникова - де Гааза. [28]
В выражениях (8.19) и (8.20) величина т - уже знакомая нам по формуле (6.112) эффективная масса проводимости. Мы увидим, что эта же величина эффективной массы характеризует и диэлектрическую проницаемость и через нее все остальные оптические константы. Поэтому величина т называется также оптической эффективной массой. [29]
Вследствие малости эффективной массы электронов в зоне проводимости InSb резонанс наступает при магнитной индукции порядка 4 - Ю4 гс для длины волны в 41 1 мк, которая удобна потому, что она лежит вне области сильного поглощения решеткой. Кейз и др. установили, что величина эффективной массы электронов в InSb растет с магнитным полем, достигая при В3 - 105 гс значения 0 027 т, но экстраполируется при Б - О1 к величине, полученной из микроволнового циклотронного резонанса. [30]