Величина - напряжение - пробой
Cтраница 2
Размер и форма электродов также сильно влияют на величину напряжения пробоя. Между остриями разряд происходит при напряжении, значительно меньшем, чем между шарами, при том же расстоянии. Причиной этого является большая напряженность поля у острых концов электродов, облегчающая ионизацию. [16]
Однако уменьшение величины р ограничивает пределы изменения емкости, так как снижается величина напряжения пробоя. [17]
 |
График к уравнению ( 4 - 10. [18] |
Эта величина будет приблизительно равна / бо, если обратное смещение перехода база - эмиттер не превосходит величину напряжения пробоя этого перехода; пр. [19]
ПОБР для различных видов ключевых приборов представлены на 3.43. Для ключевых биполярных транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером, максимально допустимое напряжение ограничено величиной напряжения пробоя коллектор-эмиттер Vceo, которое почти в два раза меньше напряжения пробоя обратносмещенно-го коллекторного перехода VCBO. Если включение биполярного транзистора из области глубокой отсечки происходит достаточно быстро ( десятки - сотни наносекунд), локальный перегрев структуры не приводит к катастрофическому разрушению структуры. При таких условиях транзистор может быть включен с уровня Vcex Vceo прямо на максимальный выходной ток, что фактически эквивалентно расширению ПОБР. [20]
 |
Осциллограмма импульсного пробоя изоляции, иллюстрирующая восстановление импульсной прочности изоляции и повторный пробой. [21] |
На рис. 6 - 8 даны осциллограммы тока и напряжения, причем здесь импульсное напряжение выбрано с амплитудой, заведомо выше пробивной, о чем свидетельствуют уменьшающиеся последовательно величины напряжений последующих пробоев. Из осциллограммы видно, что в момент пробоя изоляции ток резко возрастает. [22]
Сочетание индуктивной катушки с разрядником может при значительной крутизне фронта волны на входе не только ограничить крутизну фронта за катушкой, но и уменьшить абсолютную величину перенапряжения на защищаемом оборудовании, так как напряжение на разряднике в этом случае достигает величины напряжения пробоя при сравнительно небольшом напряжении за катушкой. Конденсаторы часто устраняют резонансные колебания, когда сочетание индуктивности катушки и собственной емкости защищаемой цепи неблагоприятно, в момент пробоя разрядника возникают высокочастотные колебания, опасные для электрического оборудования, поэтому к выбору тех или иных средств защиты от перенапряжения следует подходить с осторожностью, всесторонне оценивая все процессы. Устройство катушек и конденсаторов описано в гл. [23]
Установка автоматически производит следующие операции: 1) - сматывает провод с испытываемой катушки; 2) производит скрутку провода под определенным, заранее заданным натяжением; 3) подключает скрученный образец к источнику испытательного напряжения; 4) записывает величину напряжения пробоя на ленте самописца; 5) сбрасывает испытанный образец провода в специальный желоб. [24]
Чтобы уменьшить время пролета электрона, повышают управляющее напряжение или уменьшают расстояние между сеткой и катодом. Первый путь ограничен величиной напряжения пробоя межэлектродного промежутка, второй - тепловым излучением катода, приводящим к появлению эмиссии сетки. [25]
Максимальная величина напряжения включения прибора зависит от удельного сопротивления исходного материала и от технологических факторов. Получаемые значения напряжения включения близки к величине напряжения пробоя, которое можно ожидать у простого электронно-дырочного перехода, изготовленного из такого же материала. [27]
Максимально допустимый рабочий уровень импульсной и средней мощности переключательных диодов характеризуется обычно падающей импульсной мощностью Риыакс и средней, поглощенной ( рассеиваемой) в диоде, мощностью Ррас макс. Первая ограничивается, как правило, величиной напряжения пробоя диода Unp ( максимально допустимое обратное напряжение) при работе последнего с нулевым или обратным смещением, вторая - допустимой температурой разогрева лолупровод ника. [28]
Неоднородности имеют вид темных пятен неправильной формы диаметром около 0 5 мкм, но их структура не установлена. Наличие дефектов в SiO приводит к некоторому разбросу величины напряжения пробоя для конденсаторов, изготовленных одновременно на одной подложке. Величина напряжения пробоя зависит от материала подложки. Чей-кен и Сент Джон [ 18J установили уменьшение этой величины для материалов подложки в следующем порядке: викор, оптическая полировка; пи-реке, оптическая полировка; предметное стекло. [29]
 |
Зависимость ионного тока алюминия от напряжения пробоя вакуумного промежутка ( Г 30 мксек. f 30 пмп.сек. 5 3 5X0 1 лиг. [30] |
Страницы: 1 2 3 4