Величина - напряжение - пробой
Cтраница 3
Для этого была снята зависимость ионного тока алюминия от величины напряжения пробоя ( рис. 2.7), где каждое значение получено из пяти измерений. [31]
На рис. 48 приведена схема цепочки, состоящей из последовательно включенных кремниевого стабилитрона и балластного сопротивления. При увеличении входного напряжения, питающего цепочку, до величины напряжения пробоя ток через балластное сопротивление R практически равен нулю, а все напряжение приложено к стабилитрону. [32]
 |
Распределение заряда доноров и акцепторов в переходе ( а. зависимость величины барьерной емкости от обратного напряжения ( б. [33] |
Изменение величины последней, как установлено, влияет на величину напряжения пробоя. [34]
Искажение электрического поля, вызванное наличием включений, распространяется на небольшой объем резины. Однако при наличии большого числа включений влияние их может вызвать заметное изменение величины напряжения пробоя резины. Для надежной эксплуатации кабеля нижний предел напряжения пробоя должен находиться на достаточно высоком уровне, обеспечивающем необходимый запас электрической прочности. [35]
Напряжение теплового пробоя зависит от температуры, а следовательно, от тока длительности и формы импульсов. При некоторых длительностях и скважностях тепловой механизм практически прекращает свое влияние на величину напряжения пробоя. Уже в начале активной области при токах, превышающих 1к о лишь в 2 - 3 раза, напряжение теплового пробоя резко возрастает, и единственной причиной, ограничивающей напряжение коллектора, остается лавинный пробой. [36]
На этапе активного режима определены величины пробивных напряжений транзистора, работающего в генераторе гармонических колебаний. Рассмотрены случаи обычного критического и однотакт-ного ключевого режимов, при этом для критического режима величина напряжения пробоя определяется на ЭАВМ. [37]
В увеличивается толщина р - л-перехода и возрастает роль лавинного пробоя. В этом случае с ростом температуры уменьшается длина пробега свободных носителей заряда за счет увеличения числа соударений с решеткой кристалла полупроводника, поэтому возрастает величина напряжения пробоя. [38]
Большое количество различных напряжений пробоя транзистора, зависимость их от схем включения, от условий на входе, температуры и тока затрудняют уяснение всей задачи в целом. Для облегчения этого введем разделение всего поля характеристик рис. 6.5 ( на который перенесены и характеристики рис. 6.4) на три области по току коллектора, в каждой из которых физические явления и причины, обусловливающие величину напряжения пробоя, будут определенными, свойственными только этой области. [39]
Неоднородности имеют вид темных пятен неправильной формы диаметром около 0 5 мкм, но их структура не установлена. Наличие дефектов в SiO приводит к некоторому разбросу величины напряжения пробоя для конденсаторов, изготовленных одновременно на одной подложке. Величина напряжения пробоя зависит от материала подложки. Чей-кен и Сент Джон [ 18J установили уменьшение этой величины для материалов подложки в следующем порядке: викор, оптическая полировка; пи-реке, оптическая полировка; предметное стекло. [40]
 |
Схема полупроводникового выпрямителя с удвоением напряжения, однополупериод-ная.| Схема полупроводникового выпЛгми. [41] |
При этщ; условиях получается достаточно равномерное распределение обратного напряжения между диодами. Обратные токи) по сравнению с другими, напряжение может достигнуть величины напряжения пробоя и диоды могут быть пробиты. [42]
При пробое во время профилактического испытания сопротивление бумажно-масляной изоляции кабеля, как правило, не снижается. В канале разряда происходит разложение маслоканифольного пропитывающего состава с образованием газов, что способствует погасанию дуги и деионизации разрядного промежутка. После этого канал заполняется свежей массой. Электрическая прочность восстанавливается частично или полностью до величины напряжения пробоя, а иногда и до большей величины. [43]
 |
Зависимость ТКН а дифференциального сопротивления от напряжения стабилизации. [44] |
В низковольтных стабилитра нах, для которых характерен туннельный пробой, ТКН отрицателен. Это определяется тем, что величина напряжения, при котором происходит туннельный переход электрона из валентной зоны в зону проводимости, связана с шири ной запрещенной зоны полупровод ника. А так как с ростом температуры ширина зоны уменьшается, падает и величина напряжения пробоя. [45]
Страницы: 1 2 3 4