Cтраница 2
Этот скачок потенциала, определяемый уравнением (XXI.4), часто приравнивают величине контактной разности потенциалов. [16]
![]() |
Вольт-амперная характеристика мого, поэтому на р-п перехода ( сплошная линия и реаль - для положительных И отри-ного диода ( пунктирная линия дательных токов взят раз. [17] |
В идеальном р-п переходе, когда прямое напряжение становится равным величине контактной разности потенциалов UK, барьер исчезает и ток через переход стремится к бесконечности. В диодах при больших токах сопротивление р-п перехода становится значительно меньше сопротивления объема материала, поэтому при больших токах последнее и определяет падение напряжения на диоде. [18]
![]() |
Начальный участок сеточной характеристики. [19] |
Как следует из формулы, величина UCo характеризует для данного типа ламп величину контактной разности потенциалов между сеткой и катодом и возможную степень их деформации. На рис. 9 - 9 пунктиром показана характеристика лампы с уменьшенным абсолютным значением контактной разности потенциалов и с деформацией катода или сетки. Со сдвинуто в сторону отрицательных значений. [20]
![]() |
Строение двойного электрического слоя в отсутствие специфической адсорбции ( а и при адсорбции анионов на положительно заряженной поверхности ( б. [21] |
Этот скачок потенциала, определяемый уравнением ( XX 1.4), часто приравнивают величине контактной разности потенциалов. [22]
![]() |
Потенциалы нулевого заряда fff. [23] |
Для однозначного подтверждения теории необходимо было сравнить разность потенциалов между нулевыми точками двух металлов с величиной контактной разности потенциалов между этими металлами. [24]
Величины работ выхода некоторых металлов и полупроводников приведены в табл. 1.1. Приведенные в табл. 1.1 данные показывают, что величина контактной разности потенциалов на границе полупроводника и металла и связанное с нею выпрямление могут быть достаточно большими. [25]
Из анализа формул, определяющих величину емкости р-п перехода, следует, что при изменении температуры более всего меняется величина контактной разности потенциалов. Поскольку влияние разности потенциалов сказывается тем сильнее, чем меньше величина приложенного к варикапу напряжения, то, очевидно, ТКЕ варикапа будет увеличиваться с уменьшением внешнего приложенного напряжения. [26]
![]() |
Характеристика дио а в режиме тока начальных скоростей в полулогарифмическом масштабе. [27] |
По точке пересечения прямой тока начальных скоростей с почти горизонтальной прямой тока насыщения можно, кроме того, определить и величину контактной разности потенциалов, поскольку последняя равна ординате точки пересечения. [28]
![]() |
Ячейка для намерения контактной разности потенциалов. [29] |
Любое изменение работы выхода электрона для одного из металлов при условии, что работа выхода для другого останется постоянной, должно привести к изменению величины контактной разности потенциалов. [30]