Величина - контактная разность - потенциал
Cтраница 4
В отличие от электронных ламп ПТ могут работать и при смене полярности выходного напряжения. Си превысит напряжение Um на величину контактной разности потенциалов f / K / 7-и-пере - хода, возникает прямой ток затвора и входное сопротивление резко падает. [46]
При исследовании вольт-емкостных характеристик в широком диапазоне температур было установлено, что наклон прямых, изображенных на рис. 4, при повышении температуры не изменяется, но они сдвигаются вправо. Это, вероятно, связано с изменением величины контактной разности потенциалов. [47]
Эти данные нужны и полезны, но следует иметь в виду, что они практически невоспроизводимы. По-видимому, чистота поверхности, качество обработки и влажность влияют на величину контактной разности потенциалов сложным образом. [48]
Существование контактной разности потенциалов было обнаружено Александром Вольта на заре развития учения об электричестве, в 1797 г. Но вследствие трудностей измерения до сравнительно недавнего времени не было надежных данных о величинах контактных разностей потенциалов. Многие противоречия в сделанных измерениях были вызваны, между прочим, тем, что величина контактной разности потенциалов сильно зависит от состояния поверхностных слоев металлов и от наличия примесей в них. [49]
 |
Вольт-амперная характеристика диода Д7Ж при различных температурах. [50] |
Наименьшим изменениям подвергается прямая ветвь характеристики диода. С увеличением температуры происходит уменьшение прямого падения напряжения, объясняется это уменьшением с температурой величины контактной разности потенциалов и сопротивления объема полупроводникового кристалла. [51]
При этом еще: 1) восходящие части кривой для различных Т не вполне совпадают ( как этого следовало бы ожидать по сути вывода), так как при увеличении Т возрастает действующая длина нити; 2) переход в горизонтальную часть кривой не резок, так как в этих областях Vynp. Далее, фактическое Vg отличается от приложенного ( батареей либо потенциометром) V g на величину контактной разности потенциалов. Лангмюра наличие собственных скоростей электронов ( заметное при малых Vynp. [52]
 |
Зависимость про-бивного напряжения при туннельном и лавинном пробое от удельного сопротивления базы диода. [53] |
Туннельный пробой может происходить только в электронно-дырочных переходах, изготовленных в полупроводниках с большой концентрацией примесей, так как для туннелирования необходима малая толщина потенциального барьера и, следовательно, малая ширина перехода. При малой ширине перехода пробивные напряжения его оказываются также малыми. Поэтому пренебрегать величиной контактной разности потенциалов в выражении (3.74) не следует - она может быть сравнима с пробивным напряжением. [54]
Изменение температуры оказывает влияние на ток утечки затвора, величину контактной разности потенциалов p - n - перехода между затвором и каналом и на изменение подвижности основных носителей заряда. [55]
При контакте двух металлов их первоначально отличавшиеся уровни Ферми выравниваются в результате переноса зарядов на поверхности. Величина контактной разности потенциалов лежит в пределах приблизительно 0 1 - 3 В и может существенно меняться в зависимости от действительного состояния поверхностей. Изменение состояния окисной пленки на поверхности может вызвать такое же изменение величины контактной разности потенциалов, как и полная замена одного из металлов. Даже изменение зернистой структуры металлов может привести к заметным отклонениям в интенсивности процесса переноса зарядов. [56]
Если полупроводник п типа находится в контакте с металлом, у которого работа выхода электронов значительно меньше, чем у полупроводника, то в полупроводник переходит часть электронов металла. Поскольку по условию концентрация свободных электронов в объеме полупроводника достаточно велика, то их термодинамическая концентрация на контактной поверхности может приблизиться к единице. Для того чтобы оценить реальность сделанного предположения, следует вычислить необходимый для этого скачок электростатического потенциала в слое пространственного заряда полупроводника, а затем сравнить величину полученного скачка с величиной контактной разности потенциалов между рассматриваемыми телами. Если при этом окажется, что скачок электростатического потенциала меньше контактной разности потенциалов, то сделанное выше предположение должно оправдаться. [57]
 |
Расщепление электронных уровней при сближении атомов.| Диамагнитные и пара. [58] |
На границе раздела двух различных металлов возникает контактная разность потенциалов. Ее возникновение обусловлено различной концентрацией электронов проводимости и различной работой выхода электронов у соприкасающихся металлов. Некоторые пары металлов обладают значительной контактной разностью потенциалов. Величина контактной разности потенциалов существенно зависит от температуры. [59]
Один из очевидных источников неопределенности иллюстрирует фиг. Если на поверхность металла нанести моноатомный слой цезия, работа выхода металла уменьшится и можно ожидать, что получится омический контакт. Все эти рассуждения основаны на величине контактной разности потенциалов между металлом и полупроводником до образования контакта. После образования контакта уже невозможно установить, на какую из поверхностей был первоначально нанесен цезий, и следовательно, в обоих случаях конечный результат оказывается одним и тем же. Это конечное состояние, вероятно, в большей степени определяется конкретным характером химической связи, чем простыми физическими соображениями. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5