Величина - ток - насыщение
Cтраница 1
Величина тока насыщения / s, измеренного для барьера п-типа при умеренном обратном смещении, приведена на графике фиг. [1]
Величина тока насыщения зависит от природы и состояния газа я от силы ионизатора. [2]
Величина тока насыщения пропорциональна мощности ионизатора. При достаточно большой напряженности поля Ес начинается самоионизация газа, а при дальнейшем увеличении напряженности наступает самостоятельный газовый разряд. Таким образом, участок кривой Od соответствует несамостоятельному газовому разряду, а ветвь кривой, лежащая правее точки d, - самостоятельному газовому разряду. [3]
Величина тока насыщения ИК зависит от интенсивности излучения и составляет 10-и - 10 - 15 А; это объясняет, почему для измерения тока ИК требуются соответствующие усилители. [4]
Определить величину тока насыщения в ионизационной камере, если скорость счета активности препарата углерода-14, взятого в виде двуокиси углерода, составляет 3800 имп / мин. [5]
 |
Вольт-амперные характеристики транзисторов. входная ( а и выходная ( б характеристики в схеме с общей базой. [6] |
Очевидно, величина тока насыщения / 0 определяет вид характеристики, однако для всех электронно-дырочных переходов характерно малое падение напряжения ( десятые доли вольта) в прямом направлении при токах через переход в десятки миллиампер и даже в единицы ампер. [7]
Чем определяется величина тока насыщения перехода. Должен ли ток насыщения зависеть от температуры. [8]
 |
Полярографическая кривая для раствора двух электролитов.| СО. Принципиальная схема полярографа. [9] |
Было показано, что величины токов насыщения пропорциональны концентрациям электролита в общем объеме растворов. Начало подъема кривых несколько зависит от концентрации электролита и выбора электродов. Поэтому для характеристики природы ионов пользуются величинами потенциалов полуволн. [10]
 |
Схема включения ионизационной камеры в режиме счета частиц. [11] |
Можно показать, что величина тока насыщения ИК прямо пропорциональна мощности дозы излучения и объему камеры. [12]
Рассмотрим факторы, определяющие величину тока насыщения транзистора / к нас. При малой величине этого тока уменьшаются: а) потребляемая мощность; б) влияние омических сопротивлений эмиттера, базы и коллектора. Падение напряжения на омических сопротивлениях коллекторной и эмиттерных областей является составной частью падения напряжения на коллекторе открытого транзистора. Для логических схем с непосредственной связью это падение напряжения должно быть минимальным. Омическое сопротивление базы влияет на скорость выключения транзистора из открытого состояния. [13]
Второе условие определяет выбор такой величины тока насыщения транзистора / к нас, чтобы в худшем случае сочетания параметров напряжение на коллекторе было достаточным для обеспечения запирания транзисторов нагрузки. [14]
 |
Поляризационные кривые анодного растворения германиевого электрода с р-п-переходом, полученные при различных. [15] |
Страницы: 1 2 3 4