Величина - ток - насыщение
Cтраница 3
Таким образом, в базе имеет место режим малого уровня инжек-ции, и по величине тока насыщения можно оценить равновесную концентрацию электронов в слаболегированной области. Она оказалась равной 1012 Нем3, что примерно на два порядка ниже равновесной концентрации электронов в исходном материале. [31]
 |
Зависимость сопротивления контакта металл-полупроводник при малом напряжении на контакте от работы выхода металла для селена. [32] |
Вольтамперная характеристика контакта металл - полупроводник обычно имеет вид, близкий к (2.38), однако величина тока насыщения / s определяется более сложным путем и не всегда может быть рассчитана. [33]
Транспортный ток не изменяется, но температура растет так, что при более высоком ее значении ток достигает величины тока насыщения. [34]
Режим насыщения диода позволяет удобно регулировать величину шумового напряжения Um на нагрузке диода R, так как шумовой ток / ш зависит от величины тока насыщения Is - В рассматриваемой схеме величины шумового тока / ш, а следовательно, и напряжения 1 / ш регулируются изменением напряжения накала диода при помощи резистора Rn. Для разделения постоянной составляющей анодного и переменной составляющей шумового токов используются дроссель L и конденсатор С. [35]
 |
Обратные вольт-амперные характеристики некоторых типов германиевых диодов при 7 о293 К. [36] |
Согласно выраже - 1ВО нию ( 6 - 1) на этом участке обратная вольт-амперная характеры - во стика представляет собой прямую, параллельную оси напряжений и отстоящую от нее на величину тока насыщения / о. Однако так дело обстоит у идеального диода. [37]
Так как электропроводность определяется двумя факторами, а именно подвижностью носителей зарядов и их числом, то следующий этап исследования состоял в разделении этих переменных. Величина тока насыщения в первом приближении пропорциональна константе скорости диссоциации молекулы HzO на ионы и объему образца. [38]
Ток, текущий на электрод, является током насыщения, не зависящим от приложенного напряжения V. Величина тока насыщения равна Диффузионному току, отвечающему максимально возможному перепаду концентрации. [39]
Очевидно, что возрастание тока прекратится тогда, когда напряженность поля достигнет величины, при которой все ионы и электроны, создаваемые внешним ионизатором за 1 сек, будут за это же время подходить к электродам. Величина тока насыщения пропорциональна мощности ионизатора. При достаточно большой напряженности поля Ес начинается самоионизация газа, а при дальнейшем увеличении напряженности наступает самостоятельный газовый разряд. Таким образом, участок Od кривой на рис. 209 соответствует несамостоятельному газовому разряду, а ветвь кривой, лежащая правее точки d - самостоятельному газовому разряду. [40]
Наклон переходной характеристики, определяемый коэффициентом ( J, мало зависит от напряжения питания и от величины сопротивления нагрузки. Величина тока насыщения, наоборот, практически полностью определяется этими двумя величинами. [41]
Это постоянное, не зависящее от напряжения, значение величины тока называют током насыщения. Значение величины тока насыщения, следовательно, определяется не напряжением, а свойствами ионизирующего фактора. [42]
 |
Зависимость фотоэффекта от длины волны для двух различных. [43] |
Эйнштейна (177.1) и означающее, что фотоэлектрон действительно приобрел энергию N фотонов. Число фотоэлектронов, направлений колебания характеризуемое величиной тока насыщения, оказалось пропорциональным интенсивности света, возведенной в степень N. Изменения поляризации света и угла падения ( см. рис. 32.9) позволили выяснить, что нелинейный фотоэффект обусловливается исключительно слагающей напряженности электрического поля, перпендикулярной к поверхности катода. [44]
Страницы: 1 2 3 4