Cтраница 1
Величина энергии расщепления Д имеет большое значение при обсуждении спектральных и магнитных свойств комплексов. Обычно значения Д определяют спектроскопическими методами. Значения Д для некоторых октаэдрических комплексов приведены ниже. [1]
![]() |
Орби тали dz2 и dx - y в октаэдрическом поле. [2] |
Величина энергии расщепления Д зависит от природы лигандов и от конфигурации комплекса. [3]
![]() |
Расщепление энергетических.| Расположение координатных осей в тетраэдрическом комплексе.| Расщепление энергетических уровней d - электронов в тетраэдричегком поле. [4] |
Величина энергии расщепления Д может быть рассчитана теоретически методами квантовой механики и может быть определена экспериментально по спектрам поглощения комплексных соединений. [5]
Величина энергии расщепления А зависит от природы лиган-дов и от конфигурации комплекса. Если лиганды и их расстояния от центра комплексообразователя одинаковы, то величина А для тетраэдрического окружения составляет 4 / э величины А для октаэдрического окружения. [6]
Величина энергии расщепления А может быть рассчитана теоретически методами квантовой механики и может быть определена экспериментально по спектрам пеглощения комплексных соединений. [7]
Величина энергии расщепления А имеет большое значение при обсуждении спектральных и магнитных свойств комплексов. Обычно значения А определяют спектроскопическими методами. Значения А для некоторых октаэдрических комплексов приведены ниже. [8]
Из анализа зависимости квадрупольного расщепления от температуры получена величина энергии расщепления - уровней Д 1700 100) К. [9]
Заселение электронами орбиталей в каждом конкретном случае зависит от соотношения между величинами энергий расщепления А и спаривания Есп. Комплексы при этом высокоспиновые. Cn ( сильное поле) электроны спариваются на de - уровнях, и в результате образуются низкоспиновые комплексы. Средняя энергия спаривания для ионов первого ряда переходных металлов в аквокомплексах значительно превышает энергию расщепления. [10]
Заселение электронами орбиталей в каждом конкретном случае зависит от соотношения между величинами энергий расщепления и спаривания Есп. При Д - E en ( слабое поле) электроны будут занимать разные орбитали и спины их параллельны. В этом случае комплекс называется высокоспиновым. [11]
Заселение электронами орбиталей в каждом конкретном случае зависит от соотношения между величинами энергий расщепления и спаривания ЕСЦ. При Д Еса ( слабое поле) электроны будут занимать разные орбитали и спины их параллельны. В этом случае комплекс называется высокоспиновым. [12]
![]() |
Расположение d - орбиталей.| Расщепление энергетических. [13] |
Величина энергии расщепления Д, являющаяся мерой силы кристаллического поля, зависит от природы образующих комплекс частиц и от симметрии поля. Расщепление увеличивается с ростом заряда комплексообразователя. При переходе от комплексов Srf-металлов к комплексам 4rf - и биметаллов энергия расщепления при одинаковых лигандах возрастает на 30 - 80 % - более тяжелые ионы имеют больший радиус и большую поляризуемость. [14]
![]() |
Расположение d - орбиталей.| Расщепление энергетических. [15] |