Конечная величина - сопротивление
Cтраница 1
 |
Схема замещения в интервале рабочего полупериода до насыщения при конечном сопротивлении цепи управления /. у. [1] |
Конечная величина сопротивления в цепи управления является причиной увеличения тока рабочей цепи в интервале, предшествующем насыщению. В уравнение ( 11 - 2), относящееся к случаю бесконечного сопротивления RJ, входят две составляющие рабочего тока: намагничивающий ток, связанный с шириной петли гистерезиса, и ток, определяемый неизменным током управления / у. [2]
Конечная величина сопротивлений цепей управления и смещения двояким образом влияет на работу усилителя. [3]
При конечной величине сопротивлений ZK3, Лкн RK II RH и Лг только часть тока В1ъ протекает через внешнюю цепь. [4]
При некоторой конечной величине сопротивления R9i R i площадь усиления достигает максимального значения QT ( рис. 5.15), которое назовем площадью усиления транзистора. [5]
Неидеальность полупроводниковых диодов ( конечная величина сопротивления как в обратном, так и в прямом направлениях) не оказывает существенного влияния на точность воспроизведения заданной функции, так как прямое сопротивление и обратный ток диодов во многих случаях ( особенно при использовании германиевых и кремниевых диодов) оказываются пренебрежимо малыми или при необходимости могут быть учтены соответствующим подбором параметров схемы. [6]
Измерительный прибор и сама термопара имеют какие-то конечные величины сопротивлений. [7]
Кроме того, следует иметь в виду, что конечная величина сопротивления нагрузки в коллекторе вносит систематическую методическую погрешность измерения из-за невыполнения условий короткого замыкания в коллекторной цепи. [8]
 |
Процесс теплопереноса. / - расплав. / / - холодильник. [9] |
Обычно считают, что реально происходит процесс, промежуточный между идеальным охлаждением и медленным, ньютоновским, охлаждением, поскольку имеется конечная величина сопротивления передаче тепла на границе между расплавом и холодильником. [10]
Эти формулы являются весьма приближенными, так как при их выводе не приняты во внимание реальная структура электрического поля в отверстии при нахождении в нем частицы и конечная величина сопротивления нагрузки датчика, а также зависимость амплитуды от формы и ориентации частиц. [11]
При построении ОЗУ большой емкости необходимо иметь в виду, что емкость нагрузки Сн на выходной разрядной шине прямо пропорциональна числу адресов, и это, учитывая также конечную величину сопротивления выходных транзисторов матрицы памяти, ограничивает быстродействие ЗУ. Из изложенного следует, что для получения быстродействующих ОЗУ большой емкости необходимо использовать модульный принцип построения ЗУ. [12]
Измерение емкости и угла потерь производится по схеме рис. 7.12. Поскольку в любом реальном конденсаторе при работе его на переменном токе имеются потери в диэлектрике, обусловленные его переменной поляризацией и конечной величиной сопротивления, то в отличие от идеального конденсатора приходится измерять Сх и Rx - идеальные параметры эквивалентной схемы замещения реального конденсатора. [13]
На рис 8.41, а показана часть предельной поверхности, соответствующей обсуждаемой теории; для сравнения на рис. 8.41, б изображен соответствующий сектор цилиндра Мизеса, от которого плоскостью о -, аоп р отсечена часть, так как при всестороннем растяжении энергия формоизменения должна быть ограничена конечной величиной сопротивления. [15]
Страницы: 1 2