Конечная величина - сопротивление
Cтраница 2
Поектируя усилители, целесообразно выбирать такой тип обратной связи, для которого коэффициенты распределения напряжений или токов g наиболее близки к единице, так как при малых снижается глубина обратной связи, что уменьшает стабильность усиления и степень изменения в нужную сторону входного и выходного сопротивлений. Параметры усилителя при этом начинают зависеть от сопротивлений Zf - u ZH. При последовательной обратной связи конечная величина сопротивления источника сигнала Zr снижает глубину обратной связи. При параллельной обратной связи сопротивление источника сигнала оказывает обратное действие: при его уменьшении глубина обратной связи также уменьшается. В усилителях с токовым выходом нецелесообразно применять обратную связь по напряжению, поскольку она уменьшает выходное сопротивление. Изменения RH в этом случае будут сильно влиять на величину выходного тока. [16]
 |
Зависимость величины допустимого ослабления коммутируемых сигналов от величины допустимого краевого искажения их при заданных значениях величины Z. [17] |
Рассмотрим теперь требования к соединительным путям по ослаблению переходных сигналов. Для перехода сигналов из одних соединительных путей системы коммутации в другие ( имеется, как известно, несколько путей. Первые два из них связаны с наличием электромагнитной и электростатической связей между влияющим и подверженным влиянию соединительными ( Путями и определяются соответственно коэффициентом их взаимной индукции и емкостью между ними. Третий путь определяется наличием гальванической связи между соединительными путями вследствие конечной величины сопротивления разомкнутых контактов и изоляции между этими путями. [18]
Одновременно начинается процесс рассасывания неосновных носителей заряда, накопленных в области базы транзистора. Значит, величина обратного тока эмиттера и тока коллектора после переключения определяется сопротивлениями во внешних цепях. Концентрация неосновных носителей в базе около р-п - переходов не может мгновенно уменьшиться до нуля. Это соответствовало бы бесконечно большим величинам градиентов концентрации неосновных носителей заряда в базе около р-л-переходов и бесконечно большим токам, чего практически быть не может из-за конечных величин сопротивлений во внешних цепях транзистора. [19]
Страницы: 1 2