Разброс - емкость - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Женщина верит, что дважды два будет пять, если как следует поплакать и устроить скандал. Законы Мерфи (еще...)

Разброс - емкость

Cтраница 2


А - разброс емкости, вызванный разбросом по толщине, площади электродов, диэлектрической проницаемости; В - разброс емкости, вызванный дефектами контакта между выводами и электродами.  [16]

Несимметрия вызвана тем, что каждый из контуров шунтируется разными по величине сопротивлениями выхода смесителя и входа последующей лампы, а также разбросом емкостей ламп.  [17]

При таком отборе в наиболее уязвимой первой половине пересчетного цикла статический разброс 8 0, а положительная разность порогов диодов возникает только из-за разброса емкостей.  [18]

При расчете емкости рассматриваемых конденсаторов нет практического смысла учитывать емкость рассеивания у краев обкладок, так как, во-первых, толщина диэлектрика во много раз меньше размеров обкладок, а, во-вторых, разброс емкости, обусловленный технологическими операциями приготовления диэлектрика и изготовления конденсаторов, намного превышает величину указанной емкости.  [19]

20 Схема дополнительного усиления входного сигнала.| Осциллограмма синусоидального напряжения с частотой 3 кГц и коэффициентом формы 3 5 %. [20]

Как видно из табл. 8.1, с помощью резистора Rg обеспечивается перекрытие всего диапазона регулирования частоты выходного сигнала. Они же позволяют скомпенсировать разброс емкостей конденсаторов.  [21]

Выполнение первого из условий (11.33) обеспечивает изменение коэффициента нелинейных искажений при смене лампы Л ( с вероятным разбросом выходной емкости ДСВЫХ 0 05 Свых) не больше, чем на допустимую величину ДАГ. Выполнение второго из условий (11.33) обеспечивает изменение коэффициента нелинейных искажений при смене диодов ( с вероятностным разбросом емкостей ДСдет s0 05 Сдет) не больше чем на величину Л.г. Третье из условий (11.33) накладывает ограничение на величину емкости, чтобы расстройка вторичного контура при смене диодов не приводила к заметному изменению остальных параметров частотного детектора.  [22]

Приготовленные компоненты пасты в соотношении 600 см3 6 % - ного этилцеллюлозного лака на каждый 1 кг мелкодисперсного серебра загружаются в фарфоровый барабан с фарфоровыми шарами или уралитовыми роликами и тщательно перемешиваются. Время перемешивания - 24 ч при частоте вращения мельницы 55 - 65 об / мин. Состав и качество пасты оказывают решающее влияние на величину емкости, разброс емкости от заданного номинала и мерцание стеклокерамических и стеклоэмалевых конденсаторов. Готовая паста должна храниться в плотнозакрывающихся сосудах не более 10 дней.  [23]

При резонансных частотах от единиц килогерц до единиц мегагерц несомненное предпочтение следует отдать нулевым фильтрам на распределенных КС-структурах, к числу которых относятся аналог двойного Т - образного моста, гибридные ИМС, содержащие как распределенные, так и сосредоточенные элементы, фильтры, представляющие собой определенным образом включенную КС - или КС - - ЛТК-структуру. Наибольшее распространение получила простейшая схема гибридного нулевого фильтра ( рис. 4.20, а), состоящая из однослойной распределенной КС-структуры и резистора Кр, подключенного к ее металлическому слою. Достоинством таких фильтров является то, что точность их настройки на нуль определяется разбросом сопротивлений двух резисторов: основания Кр и КС-структуры Кпол, тогда как у двойных Т - образных мостов и цепочечных КС-фильтров заметное влияние оказывает и разброс емкостей. Не менее важным преимуществом нулевого фильтра на распределенных КС-структурах является втрое меньшее число элементов, чем у двойного Т - образного моста ( вместо шести всего два), с соответствующим уменьшением занимаемой на подложке площади и числа соединительных линий, площадок, а также упрощением топологии и увеличением надежности. Что касается избирательных свойств, то путем применения неоднородных КС-структур можно обеспечить избирательность, не уступающую избирательности резко несимметричных двойных Т - образных мостов.  [24]

При этом методе последовательным приближением подбирают емкость конденсатора Спар и индуктивность катушки Lr. Сопряжение на частоте / Ср при этом получается автоматически. Таким образом, при подобном методе сопряжения не требуется предварительная настройка входных контуров, ибо настройку их можно осуществить после настройки гетеродинного контура и даже принимая радиостанции, но необходимо точно знать емкость сопрягающего конденсатора Спос, причем допуск разброса емкости этого конденсатора, установленного в схему гетеродина, не должен превышать 3 - 5 %, иначе сопряжения на частоте / ср не получится.  [25]

При изготовлении элементов разделительных фильтров следует иметь в виду следующее. Это могут быть бумажные, металло-бумажные или керамические конденсаторы. Если нет конденсатора требуемой емкости, то его можно составить из нескольких конденсаторов меньшей емкости, подобрав их количество таким образом, чтобы суммарная емкость была равна требуемому значению. Рекомендуется применять конденсаторы, имеющие разброс емкости не более 10 % от номинального значения.  [26]

27 Характеристика полупроводникового конденсатора и вольт-амперная характеристика стабилитрона. [27]

На рис. 6 - 2 показаны типовая зависимость емкости полупроводникового конденсатора от напряжения смещения, а также границы разброса характеристик для партии в 20 штук. Как видно из характеристики, при увеличении отрицательного напряжения смещения емкость полупроводникового конденсатора падает. Это свойство и используется в работе параметрического модулятора. Из характеристик следует также, что разброс емкостей для различных стабилитронов весьма значителен, что как это будет показано дальше, существенно усложняет создание модулятора с высококачественными характеристиками, особенно при работе в большом температурном диапазоне.  [28]

Предварительные усилители магнитол строятся как на дискретных элементах, так и на интегральных микросхемах. На рис. 7.8 приведена принципиальная схема блока усилителя воспроизведения автомобильной магнитолы АМ-301. Она представляет собой шести-каскадный усилитель с гальваническими связями между транзисторами. Связь обеспечивает некоторое снижение нелинейных искажений на ВЧ и уменьшает уровень собственных шумов ИС. Эмиттерный повторитель Т3 служит согласующим каскадом для последующего усилителя на транзисторах Г4 - 7 в. С эмиттера транзистора Ts ООС через магнитную головку вводится в базовую цепь входного каскада 7Y С помощью цепи ООС формируется частотная характеристика канала воспроизведения. Подъем частотной характеристики регулируется потенциометром Ri. Частота резонанса может несколько изменяться в зависимости от разбросов емкости конденсатора С ] или индуктивности головки. На частоте резонанса несколько повышается отдача головки.  [29]



Страницы:      1    2