Разброс - емкость
Cтраница 1
 |
Схемы конструкций КПЕ с комбинированным диэлектриком. [1] |
Разброс емкости, при различных углах поворота ротора зависит только от изменения воздушного зазора, определяемого неплоскостностью пластин ротора и статора, а также неточностью их взаимного расположения. Добротность КПЕ с комбинированным диэлектриком при эксплуатации в нормальных условиях почти не отличается от добротности КПЕ с воздушным диэлектриком. [2]
 |
Зависимость относительной емкости кремниевого полупроводникового конденсатора от приложенного напряжения U.| Полупроводниковый кремниевый конденсатор с / 20 В, С 20 - 55 пФ. [3] |
Разброс емкости уменьшается при увеличении зазора между пластинами, но при этом падает удельная емкость обратно пропорционально квадрату величины зазора. Малый зазор способствует проникновению воды между пластинами конденсатора. Для уменьшения действия влаги пластины перед сборкой покрывают тонким слоем кремнеорганического лака, уменьшающего трение между пластинами. Наличие такого покрытия на пластинах заметно уменьшает электростатические шумы конденсатора. [4]
 |
Регулировка усиления изменением. [5] |
Разброс емкости монтажа резисторов и допуски на емкости дополнительных конденсаторов компенсируются подстройкой триммеров в собранном приборе. [6]
Разброс емкости монтажа резисторов и допуски на емкости до-полнительных конденсаторов компенсируются подстройкой триммеров в собранном приборе. [7]
 |
Гистограмма значений емкости конденсаторов, изготовляемых в массовом производстве. [8] |
А - разброс емкости, вызванный разбросом по толщине, площади электродов, диэлектрической проницаемости; В - разброс емкости, вызванный дефектами контакта между выводами и электродами. [9]
Подбор резисторов компенсирует влияние разброса емкостей установленных в мультивибраторах конденсаторов. [10]
Такая схема позволяет получить менее чувствительную к разбросам емкостей транзисторов частотную характеристику усиления но сравнению с обычной схемой параллельной коррекции. [11]
Для экспериментальных исследований четверки диодов Шоттки предварительно отбирались по следующим параметрам: разброс емкостей диодов, измеренных на частоте 50 МГц, не превышал 0 05 пФ, а разброс прямых падений напряжения при смещении постоянным током 1 мА был не более 0 03 В. [13]
В модуляторе использованы четверки диодов с барьером Шоттки, предварительно отобранные по следующим параметрам: разброс емкостей диодов, измеренных на частоте 50 МГц, при нулевом смещении не превышал 0 05 пФ, а разброс прямых падений напряжения при смещении постоянным током 1 мА был не более 0 03 В. [14]
 |
Гистограмма значений емкости конденсаторов, изготовляемых в массовом производстве. [15] |
Страницы: 1 2