Разброс - параметр - транзистор
Cтраница 1
Разброс параметров транзисторов приводит лишь к изменению глубины насыщения, что не сказывается на работе схемы в целом. [1]
 |
Характерные особенности областей работы при вклто ченпи транзисторов типа р-п - р ни схеме с ОБ и с ОЗ. [2] |
Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при конструировании схем могут быть учтены расчетными методами или экспериментально - методом граничных испытаний. [3]
Разброс параметров транзисторов и их изменение от дестабилизирующих факторов ( особенно температуры) влияют на работу транзисторов в ключевом режиме значительно меш ше, чем в активном режиме. Это связано с тем, что в режиме насыщения положение рабочей точки В практически не меняется при из - нении входных токов в больших пределах. [4]
Разброс параметров транзисторов в балансной схеме с несимметричным выходом мало влияет на / Ci - К. К иэ2 относятся к одному и тому же транзистору Т а изменение Кип при относительном разбросе параметров транзисторов 610 % не превышает 1 % от Кит при одинаковых параметрах. [5]
 |
Характерные особенности областей работы при включении транзисторов типа р-п - р по схеме с ОБ и с ОЭ. [6] |
Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при конструировании схем могут быть учтены расчетными методами или экспериментально - методом граничных испытаний. [7]
Разброс параметров транзисторов в балансной схеме с несимметричным выходом мало влияет на Ki - Кз - Кип К. К иэз, так как Киб2 и К иэ2 относятся к одному и тому же транзистору Т2, а изменение Кит при относительном разбросе параметров транзисторов 6 10 % не превышает 1 % от Кит при одинаковых параметрах. [8]
 |
Схема нейтрализации каскадов УПЧИ. [9] |
Ввиду разброса параметров транзисторов необходима нейтрализация внутренней обратной связи. Она осуществляется примерно так же, как и в блоках ПТК: с помощью внешней обратной связи между вы-ходом и входом транзистора. Однако здесь нет необходимости делать нейтрализацию сложной, так как работа транзистора осуществляется на более низких частотах, незначительно отличающихся друг от друга. [10]
Из-за разброса параметров транзисторов Т1 и Т2 или других элементов схемы диапазон регулировки частоты кадров при помощи переменных резисторов R70 ( рис. 25) и R67 ( рис. 24) может сдвигаться так, что при пропадании синхроимпульсов остановить и изменить направление движения кадров по экрану не удается, а при наличии синхроимпульсов кадры могут синхронизироваться. Если при этом кадры станут перемещаться по экрану еще быстрее, то синхронизация нарушена не из-за отсутствия синхроимпульсов. [11]
При наличии разброса параметров транзистора расчет схем следует вести статистическим методом. [12]
Для уменьшения влияния разброса параметров транзисторов по входному сопротивлению на режим работы ФТЯ последовательно в базовую или эмиттерную цепь транзистора обычно включается резистор. [13]
 |
Блок-схема генератора ТГОС-1. [14] |
С целью устранения влияния разброса параметров транзисторов на условия самовозбуждения схемы в эмиттерную цепь одного из транзисторов VT2 включается резистор R1, что создает некоторую асимметрию схемы. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5