Разброс - параметр - транзистор
Cтраница 3
Максимальное значение токов взято с учетом изменения температуры и разброса параметров транзисторов. [31]
 |
Принципиальная схема блока СД Рига 101.| Принципиальная схема левого канала блока УНЧ Рига-101. [32] |
Включении промежуточного змиттерпого повторителя обеспечивает снижение чувствительности схемы к разбросу параметров транзисторов. [33]
Комплементарные МДП ключ / евые схемы менее чувствительны к разбросу параметров транзисторов и рабочих напряжений. Помехоустойчивость таких схем достигает 40 % напряжения питания. [34]
Практика показывает, что при 10 % - ном разбросе параметров транзисторов коэффициент гармоник Кг не превышает 3 % в режиме класса АВ и 10 % в режиме класса В. [35]
Схема обладает неизбежной ассимстрисй, одной из причин которой является разброс параметров транзисторов. Допустим, что при включении источника питания открылся транзистор VI. Магнитный поток Ф также нарастает линейно ( рис. 6 6, точки / - 2) согласно нарастанию коллекторного тока транзистора VI. Это, в свою очередь, приводит к тому, что отрицательное смещение на базе транзистора VI уменьшается, вызывая уменьшение коллекторного тока. Транзистор V2 начинает открываться, а транзистор VI закрывается. Процесс носит лавинообразный характер и приводит к тому, что транзистор V2 открывается. [36]
Метод обладает рядом недостатков: в частности, не учитывается разброс параметров транзисторов, в первую очередь падения напряжения в базе, в то время как именно оно и слабость самой логарифмической зависимости снижают эффективность метода. [37]
 |
Интегральный элемент НЕ - ИЛИ класса ТНЛС.| Интегральный элемент И - НЕ с одним транзистором класса ДТЛ. [38] |
В диодно-тран-зисторных схемах используют малое количество резисторов больших номиналов; разброс параметров транзисторов практически слабо влияет на характеристики схем. [39]
При меньшем значении п повышается температурная стабильность, но увеличивается влияние разброса параметров транзисторов. [40]
Достоинство этой схемы заключается также в простоте настройки и некритичности к разбросу параметров транзисторов. В этой схеме следует применять диффузионные транзисторы с высокой граничной частотой. [41]
Применение промежуточного эмиттерного повторителя позволяет также уменьшить зависимость усиления схемы при разбросе параметров транзисторов. На транзисторе V5 микросхемы выполнен предоконечный каскад с коллекторной симметричной нагрузкой. [42]
Меры, принимаемые для тепловой стабилизации каскада, одновременно снижают степень влияния разброса параметров транзистора на положение рабочей точки. [43]
Как укаэвюалось ранее, незашунтированное сопротивление в цепи эмиттера позволяет уменьшить влияние разброса параметров транзисторов на усилительные свойства схемы. [44]
 |
Триггер с независимым смещением. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5