Разброс - входная характеристика
Cтраница 1
 |
Входные характеристики БТ.| Схема базового элемента РТЛ-типа. [1] |
Разброс входных характеристик можно уменьшить, изменяя сопротивления резисторов в цепи баз. Более равномерное распределение базовых токов позволяет увеличить коэффициент разветвления схемы. Однако введение резисторов снижает скорость переключения схемы. [2]
 |
Триггер типа РТЛ1 с установочными входами. [3] |
Причины разброса входных характеристик следующие: неодинаковость режима выходных цепей управляемых транзисторов; технологический разброс; неодинаковость температур отдельных транзисторов. [4]
Иногда для уменьшения влияния разброса входных характеристик транзисторов в цепь базы каждого транзистора включается сопротивление величиной несколько сот ом. [5]
 |
Транзисторная логическая схема с непосредственными связями. [6] |
Недостатками схем являются критичность к разбросу входных характеристик транзисторов, сравнительно малое быстродействие вследствие глубоко насыщенных режимов работы и ограниченный верхний предел рабочей температуры при использовании германиевых транзисторов из-за отсутствия запирающего смещения. [7]
На работу схемы значительное влияние оказывает разброс входных характеристик транзисторов. Поэтому необходимо подбирать транзисторы с одинаковым сопротивлением базы, которое невелико, так что малые отклонения напряжения на базе приводят к большим изменениям базового тока. [8]
 |
Логическая схема на элементах И2Л. [9] |
ПЭ биполярного транзистора является критичность к разбросу входных характеристик из-за неравномерного распределения входных токов в нагрузке. Проблема перехвата тока в элементе И2Л при подключении нескольких элементов нагрузки к одному выходу решается путем создания многоколлекторного выхода логического элемента. [10]
К воздействию помех наиболее чувствительны микросхемы, имеющие разброс входных характеристик и низкий перепад логических уровней. [11]
К воздействию помехи наиболее чувствительны микросхемы, имеющие разброс входных характеристик и низкий перепад логических уровней. [12]
Так, в НСТЛ-схемах величина т резко снижается из-за разброса входных характеристик транзисторов. Вследствие этого схемы данного типа обладают самой низкой нагрузочной способностью. [13]
С другой стороны, для повышения быстродействия схемы следует уменьшать разброс входных характеристик транзисторов, что вызывает определенные технологические трудности при изготовлении транзисторов и особенно твердых схем. Как было показано, разброс входных характеристик может быть уменьшен за счет увеличения сопротивления гб. [14]
Сопротивление на входе транзистора R6 вводится для того, чтобы уменьшить влияние разброса входных характеристик на работу схем. Сверху оно ограничено по величине требованием получения заданного времени задержки сигналов. [15]
Страницы: 1 2 3 4