Разброс - входная характеристика
Cтраница 2
Время задержки t и длительность фронта включения зависят от тока базы, который определяется разбросом входных характеристик. [16]
На рис. 7, а, б приведены графики зависимости ft и ф от коэффициента разброса входных характеристик для случая четырех и пяти нагрузок. [17]
Уменьшение напряжения питания Ек ведет к необходимости уменьшения сопротивления R6, что вызывает большое влияние разброса входных характеристик на работу схем. [18]
Следует заметить, что реально достижимая величина m оказывается здесь небольшой ( обычно не более трех) главным образом из-за разброса входных характеристик / б / ( и0) последующих элементов. На рис. 6.11 представлены крайние входные характеристики транзистора. I m неодинаковы, так как они зависят от количества одновременно насыщенных транзисторов в каждом из последующих элементов. [19]
 |
Основная логическая схема типа ТЛНС. [20] |
Основные достоинства схем ТЛНС - простота ( используется только два типа элементов), малая потребляемая мощность и высокое быстродействие; их недостаток - влияние на параметры схемы разброса входных характеристик транзисторов. [21]
Преимущества схемы, использующей транзисторную логику с непосредственными связями, состоят в ее простоте, малой потребляемой мощности и сравнительно высоком быстродействии; основным же недостатком является большая критичность к разбросу входных характеристик транзисторов и малая помехоустойчивость. [22]
С другой стороны, для повышения быстродействия схемы следует уменьшать разброс входных характеристик транзисторов, что вызывает определенные технологические трудности при изготовлении транзисторов и особенно твердых схем. Как было показано, разброс входных характеристик может быть уменьшен за счет увеличения сопротивления гб. [23]
Логические элементы с непосредственными связи на биполярных транзисторах просты в изготовлении и имеют сравнительно-хорошее быстродействие. Однако ввиду чувствительности к разбросу входных характеристик транзисторов и низкой помехозащищенности применение их в сложных комплексах ограничено. Кроме того, незначительный разброс температур в отдельных частях блоков приводит обычно к сбоям в работе аппаратуры. Несколько совершеннее являются схемы РТЛ и РЕТЛ. [24]
 |
Транзисторные логические схемы. [25] |
На рис. 1.5, б приведена схема логического элемента DCTL, реализующего функцию ИЛИ-НЕ. Особенность схем DCTL в том, что на их параметры сильно влияет разброс входных характеристик транзисторов. Обеспечение нормального режима работы DCTL-ИС с учетом разброса входных характеристик транзисторов достигается при больших коллекторных токах, что приводит к значительной рассеиваемой мсщ -: нссти в ИС. [26]
Пример такой схемы показан на рис. 3 - 62, о. Эти схемы просты в изготовлении и обладают сравнительно хорошим быстродействием, однако из-за чувствительности к разбросу входных характеристик транзисторов и низкой помехоустойчивости применение их в сложных комплексах встречает большие трудности, Логические блоки, построенные на таких ИС, обладают повышенной потребляемой мощностью. При незначительных разбалансах температур в отдельных частях блоков в работе аппаратуры, как правило, возникают сбои. [27]
 |
Основная логическая схема ТЛНС.| Основные логические схемы РТЛ. а - с резистивно-транзисторной связью. б - с резистивной связью. [28] |
Транзисторные ИМС с непосредственной связью являются одним из первых схемотехнических направлений. Достоинства схем ТЛНС - простота ( используется только два типа элементов), малая потребляемая мощность и высокое быстродействие; их недостаток - влияние на параметры схемы разброса входных характеристик транзисторов. [29]
 |
Основная логическая схема ТЛНС. [30] |
Страницы: 1 2 3 4