Развитие - кристалл
Cтраница 3
При рк 100 а / л2 наблюдается термальное развитие кристаллов. При DK 500 а / м2 размеры кристаллов заметно уменьшаются. [31]
Все кристаллические формы подчиняются закону гранных углов: как бы неравномерно ни происходило развитие кристалла, как бы ни была искажена его форма, углы, под которыми сходятся грани кристалла, всегда остаются для данного вещества одними и теми же. [32]
Келлер и Бассетт описали также наблюдения, которые в значительной степени проливают свет на развитие кристаллов в рамках в виде террасовых окаймлений и на происхождение винтовых дислокаций у полимерных кристаллов вообще. Они отметили, что переосаждение, происходящее, когда кристаллы находятся во взвешенном состоянии в горячем растворе, приводит, как оказалось, к дендритным нарастаниям острых выступов на существующих гранях. В частности, могут образоваться дендритные выступы, ограниченные гранями ( ПО), если молекулы осаждаются на гранях ( 100) усеченных кристаллов; при этом наблюдаются также ромбические выступы на гранях ( 110), но в меньшей степени. При таких нарастаниях наблюдаются обычно повышенные плотности винтовых дислокаций, которые помогают разобраться в механизме образования большинства дислокаций. Действительно, если два смежных дендритных выступа смещены относительно плоскости исходного кристалла по высоте вверх и вниз, то в двугранных углах между ними ( где сконцентрированы напряжения) легко происходит образование винтовой дислокации. Такие дислокации, вероятно, быстро стабилизируются при продолжающемся росте граней, образующих многогранник. Правильность такой интерпретации образования сложных кристаллических агрегатов при высоких скоростях роста очевидна; в этих условиях рост носит более дендритный характер и промотирует более высокие плотности дислокаций. Данные, полученные при изучении таких агрегатов, о которых сообщили Коури и Падден [66], согласуются с этим взглядом. Ренекер и Гейл [117] показали, что примеси могут также способствовать образованию винтовых дислокаций, концентрируясь в двугранных углах. [33]
Подвешенные и опущенные в раствор нити или ленты обладают большой поверхностью, что и способствует развитию кристаллов и тем самым ускорению кристаллизации. [34]
 |
Виды относительного перемещения кристалл - раствор. / - механизм придания кристаллу планетарного вращения. [35] |
Эксцентричное одностороннее вращение кристалла ( рис. 5 - 6, д) обычно приводит к неравномерному развитию кристалла, а иногда и к включениям раствора в секторах роста граней, задних по отношению к движению. [36]
По мнению авторов, депрессаторы, будучи веществами поверхностно-активными по отношению к парафину, оказывают тормозящее действие на развитие кристаллов и препятствуют образованию новых кристаллических зародышей. Вследствие этого повышается предельная степень пересыщения растворов парафина в период кристаллизации, не вызывающая появления новых, кристаллических зародышей, что приводит к укрупнению образующихся кристаллических структур и к уменьшению их числа на единицу объема раствора. При этом кристаллообразование-начинает идти не в направлении свободного роста протяженных индивидуальных кристаллов, а путем дендритной ( агрегатной) кристаллизации с образованием компактных кристаллических скоплений, не спаянных друг с другом в единую кристаллическую сетку и по этой причине не способных иммобилизовывать всю массу раствора, что сказывается в виде понижения температуры застывания данного продукта. [37]
Общее описание развития структуры и кристаллизации минералов в промышленном динасе приведено в специальной статье Сосмана46, освещающей вопросы оптимального зернового состава, развития кристаллов и шлакоустойчивости. Обычно в шихту вводится небольшая добавка извести, служащая не только минерализатором: юна весьма существенна и для цементирования кирпичей. [38]
Наблюдается или равномерное развитие кристаллов по всем направ - лениям, или под влиянием внешних условий, ограничивающих Нормальный рост, кристаллы развиваются преимущественно в некоторых определенных направлениях. Часто при этом возникают пластинчатые формы с квадратными, прямоугольными, шестиугольными и треугольными очертаниями. [39]
Глинозем редко входит как составная часть в кристаллическую фазу. Обычно его роль заключается в затруднении правильного развития кристаллов. [40]
В кристаллизаторах с естественным испарением растворителя редко применяют принудительную циркуляцию, создавая благоприят-яые условия кристаллизации путем уменьшения сечения кристаллиза-торов; кроме того, по всему сечению их подвешивают на близких друг от друга расстояниях нити или ленты из соответствующего стойкого к химическому воздействию раствора материала. Опущенные в рас-твор нити или ленты обладают большой поверхностью, что и способ-ствует развитию кристаллов и тем самым ускорению кристаллизации. [41]
Депрессорные присадки, как и другие присадки к топливам, являются поверхностно-активными веществами, характеризующимися повышенным сродством к мелкодисперсной твердой фазе. Если в этот период в топливе имеется депрессорная присадка, то под ее влиянием будет предотвращен рост и развитие кристаллов или агрегатов, отрицательно влияющих на температуру застывания, нормальную прокачиваемость и фильтруемость топлива. При введении в топливо присадки, в зависимости от ее химической структуры и, следовательно, активности, начало формирования твердой фазы с неблагоприятным размером частиц отодвигается в область более низких температур. [42]
Одним из главных достоинств электронномикроскопического исследования является чрезвычайно высокая чувствительность при обнаружении вновь возникающих в ничтожных количествах элементов структуры при их концентрациях 10 - Б-10-7. На рис. 1 приведены электронномикро-скопические снимки изменения структуры литиевоалюмосиликатного стекла в процессе его кристаллизации - прослежен процесс возникновения и развития кристаллов дисиликата лития. На стадии, представленной рис. 1, а, основной кристаллической фазой является метасиликат лития ( игольчатые кристаллы длиной 0.5 - 0.8 мкм), однако в поле зрения микроскопа можно зарегистрировать 1 - 2 кристалла дисиликата лития ( обведено кружком); появление этих кристаллов в таком количестве не может быть отмечено никаким другим методом. [43]
Авторы показали, что рост начинается из двумерных зародышей, представляющих собой мономолекулярные слои. Дислокации возникали на краях таких островков в виде нарушений правильной упаковки молекул -, и можно было проследить последовательные стадии развития кристалла начиная от зарождения дислокаций до образования монокристалла со ступеньками спирального роста. Авторы пришли к заключению, что у соединений с длинной цепочкой дислокации возникают не только за счет примесей, но и за счет внутренних деформаций решетки. На ранней стадии развития зародыша, еще до появления дислокаций, часто происходит двойникование. [44]
Если подобное избирательное замедление рекристаллизации в определенном ( ограниченном) интервале концентраций - примесей существует и у алюминия, то ранее описанные эффекты в переходной области можно объяснить следующим образом. Сильное снижение примесями скорости роста всех кристаллов, за исключением особым образом ориентированных, приводит к наблюдаемому уменьшению скорости зарождения кристаллов произвольной ориентации и к развитию кристаллов преимущественных ориентации, на рост которых примеси почти не оказывают влияния. [45]
Страницы: 1 2 3 4