Развитие - пробой
Cтраница 1
 |
Зависимость. / пр воздуха ( 1 и водорода ( 2 от произведения давления р на расстояние между электродами d. [1] |
Развитие пробоя зависит от степени однородности электрического поля, в котором происходит пробой газа. Если в однородном поле напряженность поля постоянна, а в слабонеоднородном поле изменяется вдоль силовой линии не более чем в 2 - 3 раза, то в резконеоднород-ном - на несколько порядков. [2]
Развитие пробоя происходит не одновременно по всей площади р-п перехода, а в отдельных микроплазмах. Это вызывает дополнительную нестабильность М и увеличивает шумы. Перечисленные недостатки в сочетании с разбросом параметров у отдельных образцов ограничивают применение лавинных фотодиодов. [3]
 |
Электроды стандартного разрядника для определения электрической прочности. пр жидких диэлектриков. [4] |
Развитие пробоя в жидком диэлектрике качественно отличается от пробоя в воздухе. В конечной стадии пробой жидкости происходит в большинстве случаев по газовому каналу. Образование газового канала может быть результатом испарения жидкости при интенсивном местном нагреве ( например, токами проводимости в местах концентрации загрязнений) или результатом расщепления молекул жидкости с выделением газообразных продуктов под воздействием заряженных частиц ( главным образом электронов) с достаточно большими энергиями. [5]
Развитию пробоя способствует также фотоионизация, обусловленная фотонами, которые испускают возбужденные при соударении с электронами молекулы газа, переходя из возбужденного состояния в нормальное. [6]
Механизмы развития пробоев в транзисторах могут быть различными, однако независимо от этого все виды пробоев можно условно разделить на первичные и вторичные. [7]
Процесс развития пробоя картона, пропитанного трансформаторным маслом, содержащего некоторое количество влаги, также требует времени для своего завершения. [8]
 |
Разрядные напряжения промежутка стержень - плоскость при положительной ( а и отрицательной ( б полярности стержня ( по И. К. Федчен-ко и М. Е. Иерусалимову. [9] |
Это облегчает развитие пробоя. [10]
Общим условием развития пробоя в лидерной форме является образование стримерной зоны критической длины, зависящей от вида и плотности газа. При увеличении плотности воздуха она быстро уменьшается. В элегазе критическая длина стримерной зоны значительно меньше. При б 0 1 она составляет - 0 1 м ( по данным Бортника); при 8 - 1 она значительно меньше. [11]
Напряжение начала развития пробоя определяется в тиристорах, так же как в диодах, началом крутого нарастания ( загиба) обратной ветви вольт-амперной характеристики. [12]
Электрической дугой заканчивается развитие пробоя в диэлектрике при достаточной мощности и токе источника напряжения. [13]
 |
Определение условия пробоя жидкого диэлектрика вследствие автоэлектронной эмиссии и искажения поля у катода объемным зарядом. [14] |
В первой стадии развития пробоя определяющее значение имеет автоэлектронная эмиссия. Она возникает либо с катода при развитии разряда с отрицательного электрода, либо с поверхности частичек примесей у анода при развитии разряда с положительного электрода. Меньшая работа выхода электронов с поверхности катода в первом случае приводит к тому, что начальные лавины электронов возникают у катода при меньших напряженностях электрического поля, чем у анода. Дальнейшее прорастание канала разряда в длинных искровых промежутках чаще всего происходит со стороны положительного электрода и обеспечивается главным образом за снет процессов ударной ионизации и фотоионизации в слое жидкости, прилегающем к стенкам канала разряда. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5