Развитие - пробой
Cтраница 3
Зависимость между приложенным напряжением и временем развития пробоя может быть установлена теоретически путем решения нестационарного уравнения теплопроводности. Если U Unp, то разогрев диэлектрика происходит весьма интенсивно и приблизительно равномерно по всей толщине, так как отводом тепла в окружающее пространство можно пренебречь по сравнению с тепловыделением внутри диэлектрика. [31]
Величина RB играет важную роль в развитии пробоя в схеме ОЭ. Часть дырок, возникающих в коллекторном переходе при ударной ионизации и попадающих в базу, создает ток во внешней цепи, протекающий через резистор Б - В результате в базе накапливается меньшее число дырок, положительная обратная связь ослабевает и напряжение пробоя увеличивается. БЭ - Если R № - О, то напряжение пробоя максимально и обозначается t / кэк. Таким образом, следует избегать использования транзистора при разомкнутой базовой цепи, так как низкое напряжение пробоя может привести к выходу транзистора из строя. [32]
Теория ионизации Пика исходит из представления о развитии пробоя в жидкости за счет резкого возрастания тока ионизации. Теория Гюнтсршульце и Геманта предполагает образование в жидкости пузырьков, которые вытягиваются по направлению поля и образуют газовый канал. По этому каналу и происходит пробой. [33]
Очевидно, что последнее несколько больше полного времени развития пробоя. [34]
Блок АПВ используют для снижения ускоряющего напряжения при развитии пробоя в электронно-лучевой пушке, а также при тренировке прожектора пушки, когда на электроды пушки многократно подают максимальное ускоряющее напряжение. Применение АПВ позволяет выполнять автоматически ( без участия оператора) тренировку пушки, при этом время тренировки значительно сокращается. [35]
Однако в некоторых случаях оказывается возможным судить о характере развития пробоя и по виду уже пробитой изоляции. Так, при электротепловом пробое более велика вероятность пробоя у средней части электродов, где условия охлаждения диэлектрика наиболее трудные. Впрочем, при наличии дефектов ( слабых мест) в диэлектрике место пробоя может в первую очередь определяться именно расположением этих дефектов. [36]
В бумажной изоляции силового кабеля слабыми местами ( очагами развития пробоя) являются зазоры между отдельными лентами бумаги в каждом повиве. В кабелях с вязкой пропиткой ( например, масляно-канифольным компаундом) в эксплуатации после многократных последовательных нагревов и охлаждений кабеля часть зазоров, ближайших к жиле, оказывается не заполненной пропиточным компаундом. В этих зазорах возникает ионизация, разрушающая и компаунд, и бумагу и способствующая постепенному прорастанию ветвистого разряда от жилы к свинцовой оболочке кабеля. [37]
В бумажной изоляции силового кабеля слабыми местами - очагами развития пробоя - являются зазоры между отдельными лентами бумаги в каждом повиае. [39]
В бумажной изоляции силового кабеля слабыми местами - очагами развития пробоя - являются зазоры между отдельными лентами бумаги в каждом повиве. [41]
 |
Зависимость пробивной напряженности. пр от толщины изоляции i для конденсаторной бумаги 10 мкм ( / 50 гц. [42] |
В ленточной изоляции наличие масляных зазоров между слоями бумаги облегчает развитие пробоя, так как электрическая прочность масляного зазора значительно меньше прочности одного слоя бумаги такой же толщины. [43]
Это объясняется образованием у иглы положительного объемного заряда, содействующего развитию пробоя при положительной полярности иглы. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5