Развитие - генерация
Cтраница 1
 |
Изменение AW ( 1 и и ( 2 при модуляции добротности резонатора лазера. [1] |
Развитие генерации сопровождается - быстрым уменьшением инверсной населенности. Вследствие этого AN не может значительно превысить AMiop и разность AN-ANnap оказывается очень мала. Следовательно, в каждом пичке происходит высвечивание лишь - небольшой доли всех активных центров. [2]
По мере развития генерации на линейном этапе форма спектра эволюционирует от одной стадии к другой в указанной выше последовательности. Линейный этап завершается, как только интенсивность лидирующей моды вырастает до насыщающего уровня. Достигнутая к этому времени форма спектра по существу является и формой спектра излучаемого затем пичка. Последнее не распространяется на случай в), характерный тем, что из игры здесь последовательно исключаются моды, лидирующие по своему развитию. [3]
Условно процесс развития генерации можно разбить на два этапа. [4]
Описанная картина характерна для развития генерации в образце, предварительно подвергнутом термической обработке, гарантирующей стирание следов от всех предыдущих экспозиций. Если же после установления стационарного генерационного состояния подавить генерацию, повернув кристалл на угол, превышающий угловую селективность объемной фазовой решетки, сценарий развития генерации несколько изменяется. [5]
Визуально второй быстрый этап развития генерации выглядит следующим образом: в широком угловом спектре светоиндуцированного рассеяния появляется слабый керн, который с течением времени быстро растет по интенсивности, постепенно подавляя остальные рассеянные компоненты. Одновременно происходит сужение излучения в керне в остронаправленный световой пучок, представляющий собой генерационную волну. [6]
Если увеличение степени упорядоченности по мере развития генерации представляется очевидным, то второй пример является более сложным. [7]
В режиме свободной генерации длительность линейного этапа развития генерации равна тл ( 21п ( и / ысп) / Сы) 1 / 2 ( см. гл. [8]
 |
Схема генератора с петлей обратной связи.| Расчетные зависимости коэффициента отражения обращенной волны Rpc /, ( / / /, ( / от константы связи yl для генератора с петлей обратной связи. [9] |
Встречная по отношению к волне накачки волна формируется на начальном этапе развития генерации из излучения рассеянного на неоднород-ностях кристалла. Внутри кристалла разность хода между породившей рассеяние волной 2 и рассеянной волной 3 практически нулевая. В то же время, пройдя через петлю обратной связи одинаковое расстояние ( хотя и во встречных направлениях) и превратившись в волны / и 4 соответственно, эти волны сохраняют нулевую разность хода независимо от длины петли. [10]
Полный теоретический анализ процесса образования импульсов должен был бы охватывать этап развития генерации из шума и этап постепенного формирования импульсов, заканчивающийся после определенного числа проходов установившимся режимом, при котором параметры импульсов больше не меняются. Однако, как будет показано, определение параметров импульсов в установившемся режиме не требует знания предыстории их развития. [11]
Выражение (21.21) описывает распределение интенсивности индуцированного излучения по частотам на линейном этапе развития генерации. [12]
 |
Схема усиления импульсов о г. [13] |
Усиление импульсов в резонансно-усиливающей среде во всех типах лазеров является основным механизмом развития генерации. При этом именно импульсный режим чаще всего требует использования ЭВМ, поскольку в непрерывном режиме ( стационарная задача) удается получить аналитическое решение. [14]
 |
Схема лазера с модулированной добротностью. [15] |
Страницы: 1 2 3 4